这里介绍的逆变器（见图）首要由MOS 场效应管，通俗电源变压器构成。其输出功率取决于MOS 场效应管和档链变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子康乐喜爱者业永建造中采用。下面介绍该逆变器的工作道理及建造过程。
电路图


工作道理
这里我们将具体介绍这个逆变器的工作道理。
方波旗子暗记发生器（见图3）


这里采用六反相器CD4069构成方波旗子暗记发生器。电路中R1是补偿电阻，用于改善因为电源电压的改变而引起的┞否荡频率不稳。电路的┞否荡是经由过程电容C1充放电完成的。颇┞否荡频率为f=1/2.2RC。图示电路的最除夜频率为：fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz。因为元件的误差，实际值会略有不同。其它多余的反相器，输入端接地避免影响其它电路。
场效应管驱动电路
这里采用六反相器CD4069构成方波旗子暗记发生器。电路中R1是补偿电阻，用于改善因为电源电压的改变而引起的┞否荡频率不稳。电路的┞否荡是经由过程电容C1充放电完成的。颇┞否荡频率为f=1/2.2RC。图示电路的最除夜频率为：fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz。因为元件的误差，实际值会略有不同。其它多余的反相器，输入端接地避免影响其它电路。
场效应管驱动电路


因为方波旗子暗记发生器输出的┞否荡旗子暗记电压最除夜振幅为0~5V，为充裕驱动电源开关电路，这里用TR1、TR2将振荡旗子暗记电压放除夜至0~12V。如图4所示。
MOS场效应管电源开关电路。
这是该装配的核心，在介绍该部分工作道理之前，先简单注释一下MOS 场效应管的工作道理。


图5
MOS 场效应管也被称为MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和加强型两种。本文哄骗的魏Ｚ婵型MOS 场效应管，其内部构造见图5。它可分为NPN型PNP型。NPN型常日称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流节制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）节制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。


图6
为注释MOS 场效应管的工作道理，我们先认识一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。如图6所示，我们知道在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流畅过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的┞俘电子则朝N型半导体端晃荡，除夜而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被群集在P型半导体端，负电子则群集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流畅过，二极管截止。


图7a 图7b
对于场效应管（见图7），在栅极没有电压时，由前面理会可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状况（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS 场效应管栅极上时，因为电场的感导，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但因为氧化膜的反对，使得电子群集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），除夜而形成电流，使源极和漏极之间导通。我们也可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的竖立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的除夜小由栅压的除夜小决意。图8给出了P沟道的MOS 场效应管的工作过程，其工作道理雷同这里不再反复。


图8
下面简述一下用C-MOS场效应管（加强型MOS 场效应管）构成的应用电路的工作过程（见图9）。电路将一个加强型P沟道MOS场效应管和一个加强型N沟道 MOS场效应管组合在一路哄骗。当输入端为低电日常普通，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电日常普通，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管老是在相反的状况下工作，其相位输入端和输出端相反。经由过程这种工作体式技俩我们可以获得较除夜的电流输出。同时因为漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，常日在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不合场效应管其关断电压略有不合。也正因为如斯，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。


由以上理会我们可以画出道理图中MOS场效应管电路部分的工作过程（见图10）。工作道理同前所述。这种低电压、除夜电流、频率为50Hz的交变旗子暗记经由过程变压器的低压绕组时，会在变压器的高压侧感应出高压交流电压，完成直流到交流的转换。这里需要属意的是，在某些景遇下，如振荡部分住手工作时，变压器的低压侧有时会有很除夜的电流畅过，所以该电路的保险丝不克不及省略或短接。


建造要点
电路板见图11。所用元器件可参考图12。逆变器用的变压器采用次级为12V、电流为10A、初级电压为220V的成品电源变压器。P沟道MOS场效应管（2SJ471）最除夜漏极电流为30A，在场效应管导通时，漏-源极间电阻为25毫欧。此时假如经由过程10A电流时会有2.5W的功率消费。N沟道MOS场效应管（2SK2956）最除夜漏极电流为50A，场效应管导通时，漏-源极间电阻为7毫欧，此时假如经由过程10A电流时消费的功率为0.7W。由此我们也可知在同样的工作电流景遇下，2SJ471的发烧量约为2SK2956的4倍。所以在考虑散热器时应属意这点。图13展示本文介绍的逆变器场效应管在散热器（100mm×100mm×17mm）汕９依υ置分布和接法。尽管场效应督工作于开关状况时发烧量不会很除夜，出于安然考虑这里选用的散热器稍偏除夜。