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MMBZ5246BLT1G的技术参数

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:465

标签:

摘要: 产品型号:mmbz5246blt1g齐纳击穿电压vz最小值(v):15.200齐纳击穿电压vz典型值(v):16齐纳击穿电压vz最大值(v):16.800@izt(ma):7.800齐纳阻抗zzt(ω):17最大功率pmax(w):0.225芯片标识:8w封装/温度(℃):3sot-23/-65~150价格/1片(套):¥.25

产品型号:mmbz5246blt1g
齐纳击穿电压vz最小值(v):15.200
齐纳击穿电压vz典型值(v):16
齐纳击穿电压vz最大值(v):16.800
@izt(ma):7.800
齐纳阻抗zzt(ω):17
最大功率pmax(w):0.225
芯片标识:8w
封装/温度(℃):3sot-23/-65~150
价格/1片(套):¥.25


型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67