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安森美推出下一代高速浪涌保护器件系列

来源:<a href='http://bbs.hqew.com/viewthread.php?tid=408419' target='_blank'>xiexiaolao</a> 作者:华仔 浏览:940

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2008年10月10日安森美半导体(ONSemiconductor)推出新的低电容晶闸管浪涌保护器件(TSPD)系列,专为保护下一代高速电信设备而设计。新器件杰出地平衡小尺寸和高浪涌能力,同时维持低电容和低泄漏,是先进电信产品的极佳组合。NP0080、NP0120和NP0160低电容、低泄漏TSPD器件采用节省空间的TSOP-5封装,保护数字用户线路(DSL)芯片组和线路驱动器。虽然在正常电路工作期间它们本质上并不参与工作,但在发生浪涌和静电放电(ESD)事件时它

20081010安森美半导体(ON Semiconductor)推出新的低电容晶闸管浪涌保护器件(TSPD)系列,专为保护下一代高速电信设备而设计。新器件杰出地平衡小尺寸和高浪涌能力,同时维持低电容和低泄漏,是先进电信产品的极佳组合。

 

 

NP0080NP0120NP0160低电容、低泄漏TSPD器件采用节省空间的TSOP-5封装,保护数字用户线路(DSL)芯片组和线路驱动器。虽然在正常电路工作期间它们本质上并不参与工作,但在发生浪涌和静电放电(ESD)事件时它们发挥极佳的电路保护性能。它们在工作电压范围内拥有小于3皮法(pF)的固有低差分电容,能够排除高速数据线路上的信号失真。这NP0xxx TSPD系列提供极佳保护,在发生8 x 20微秒(uS)浪涌事件时,具有大于50(A)的电流承受能力。它们通常在接入和客户端设备(CPE)DSL隔离变压器和DSL线路驱动器之间用作第三级保护。

 

安森美半导体新的TSPD系列还包括以高性价比SMB封装的市场领先的超低电容NP-MC系列。这器件系列具有低于30 pF的超低电容,用于额定电流100 A的器件,为设计人员在不同高速应用中提供替代气体放电管(GDT)的选择。由于具有超低的关态电容,NP-MC器件为VDS2+T1/E1电路等高速设备提供微乎其微的信号失真。低额定关态电容转化为极低的差分电容,为所应用的电压或频率提供极佳的线性度。它们通常在DSL隔离变压器的线路端用作次级保护器。NP-MC系列器件包括NP0640SCMCT3GNP0720SCMCT3GNP0900SCMCT3GNP1100SCMCT3GNP1300SCMCT3GNP1500SCMCT3G

 

这些TSPD器件对于开发互联网协定数字用户线路接入复用器(IP-DSLAM)、家庭网关和调制解调器、语音IP(VoIP)及其它设备等可靠的接入和客户端设备而言必不可少,帮助设计人员符合标准,并将对信号质量的影响减至最小。

 

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