2N7002DW-7-F该MOSFET被设计为最小化通态电阻(RosfoN)，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

• 额定电压(DC)：60.0 V

• 额定电流：115 mA

• 针脚数：6

• 漏源极电阻：13.5 Ω

• 极性：Dual N-Channel

• 耗散功率：200 mW

• 阈值电压：2 V

• 输入电容：50.0 pF

• 漏源极电压(Vds)：60 V

• 漏源击穿电压：70.0 V

• 栅源击穿电压：±20.0 V

• 连续漏极电流(Ids)：115 mA

• 正向电压(Max)：1.5 V

• 输入电容(Ciss)：50pF @25V(Vds)

• 额定功率(Max)：200 mW

• 工作温度(Max)：150 ℃

• 工作温度(Min)：-55 ℃

• 耗散功率(Max)：310 mW

• 安装方式：Surface Mount

• 引脚数：6

• 封装：SC-70-6

• 长度：2.2 mm

• 宽度：1.35 mm

• 高度：1 mm

• 双n通道MOSFET

• 低导通电阻

• 低门限值电压

• 低输入电容

• 快速开关速度

• 低输入/输出泄漏

• 超小表面贴装封装

• 完全无铅和完全符合RoHS(注1和2)

• 无卤素和锑。“绿色”设备(注3和4)

• 符合AEC-Q101高可靠性标准