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IBM生产线俱乐部进入高k介质时代

来源:SEMI中国 作者:—— 浏览:160

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为了超过竞争对手IBM的fab club(生产线俱乐部) 己经实现了它们的之前预想。 它的俱乐部包括ARM、IBM、Samsung、GlobalFoundries及Synopsys,据报道已能提供基于高k和金属栅的 32/28nm的工艺及设计平台。 IBM的fab club包括IBM、Samsung及GlobalFoundries在2008年首先公布32nm工艺。而在去年该俱乐部宣布28nm工艺,


为了超过竞争对手IBM的fab club(生产线俱乐部) 己经实现了它们的之前预想。

它的俱乐部包括ARM、IBM、Samsung、GlobalFoundries及Synopsys,据报道已能提供基于高k和金属栅的 32/28nm的工艺及设计平台。

IBM的fab club包括IBM、Samsung及GlobalFoundries在2008年首先公布32nm工艺。而在去年该俱乐部宣布28nm工艺,都是高k介质工艺,由成员单位共同开发完成。

上周三星宣称,它的代工业务已可提供32nm低功耗的高k/金属栅工艺。

三星表示此种工艺己在它位于韩国的Giheung300mm逻辑电路生产线上完成可靠性测试,目前可以提供给客户进行设计,并投产。

对于28nm低功耗工艺已在Global Foundries完成factory qualified(工厂验证) 及三星于2011年Q1也相继完成。

三星在高k/金属栅工艺方面已走在全球商业化的领先地位,而Global Foundries表示它将放弃32nm而直接进入28nm。

IBM的32/28nm综合解决方案包括ARM的物理IP及Synopsys的EDA设计流程。平台进一步推动ARM的Cortex技术进步,同样可用Galaxy和其它EDA工具来利用Synopsys的Lynx设计系统。对于32/28nm设计,从RTL至GDSII的执行方案减少风险及总的设计成本。

对于大部分领先的芯片制造商都希望早日使用高k介质工艺,但是大部分制造商发现工艺非常困难。英特尔是例外,它们采用后栅的高k工艺,己能提供 45/32nm工艺。

由此,IBM 的fab club己走在台湾竞争对手的前头。TSMC居全球代工首位,它们希望在今年9月底能导入高功能的高k金属栅工艺。到12月时,TSMC认为能提供高功能 /低功耗的高k金属栅的28nm工艺。

另一家代工商联电也宣称将提供高k工艺。

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