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普通晶闸管

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普通晶闸管是一种半可控大功率半导体器件,出现于70年代。是PNPN四层半导体结构,普通晶闸管它有三个极:阳极,阴极和门极; 晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。

普通晶闸管的基本工作原理

  • 普通晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成普通晶闸管的主电路,普通晶闸管的门极G和阴极K与控制普通晶闸管的装置连接,组成普通晶闸管的控制电路。

    普通晶闸管的工作条件:

    1. 普通晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,普通晶闸管都处于关断状态。

    2. 普通晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下普通晶闸管才导通。

    3. 普通晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,普通晶闸管保持导通,即普通晶闸管导通后,门极失去作用。

    4. 普通晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,普通晶闸管关断。

普通晶闸管的型号释义

普通晶闸管的主要性能指标

  • 1.  UDRM:断态重复峰值电压

    晶闸管耐压值。普通晶闸管UDRM 为 100V---3000V

    2. URRM:反向重复峰值电压

    控制极断路时,可以重复作用在晶闸管上的反向重复电压。普通晶闸管一般取URRM为100V--3000V)

    3. ITAV:通态平均电流

    环境温度为40。C时,在性负载、单相工频 正弦半波、导电角不小于170o的电路中,晶闸管允许的最大通态平均电流。普通晶闸管  ITAV  为1A---1000A。)

    4. UTAV :通态平均电压

    管压降。在规定的条件下,通过正弦半波平均电流时,晶闸管阳、 阴两极间的电压平均值。一般为1V左右。

    5. IH:最小维持电流

    在室温下,控制极开路、晶闸管被触发导通后,维持导通状态所必须的最小电流。一般为几十到一百多毫安。

    6. UG、IG:控制极触发电压和电流

    在室温下,  阳极电压为直流 6V 时,使晶闸管完全导通所必须的最小控制极直流电压、电流 。一般UG为 1~5V,IG 为几十到几百毫安。

普通晶闸管的保护措施

  • 普通晶闸管的主要缺点:过流、过压能力很差。普通晶闸管的热容量很小:一旦过流,温度急剧上升,器件被烧坏。

    普通晶闸管承受过电压的能力极差:电压超过其反向击穿电压时,即使时间极短,也容易损坏。正向电压超过转折电压时,会产生误导通,导通后的电流较大,使器件受损。

    一、过流保护措施

    快速熔断器:电路中加快速熔断器。

    过流继电器:在输出端串接直流过电流继电器

    过流截止电路:利用电流反馈减小普通晶闸管的 导通角或停止触发,从而切断过流电路。

    二、过压保护

    阻容吸收:利用电容吸收过压。即将过电压的能量变成电场能量储存到电容中,然后由电阻消耗掉。

    硒整流堆:硒堆为非线性元件,过压后迅速击穿,其电阻减小,抑制过压冲击。高电压过后,硒堆可恢复到击穿前的状态。

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