线性集成电路 更新时间：2011-05-28 07:20

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线性集成电路是以放大器为基础的一种集成电路。用线性一词表示放大器对输入信号的响应通常呈现线性关系。后来，这类电路又包括振荡器、定时器以及数据转换器等许多非线性电路、数字和线性功能相结合的电路。由于处理的信息都涉及到连续变化的物理量（模拟量），人们也把这种电路称为模拟集成电路。

线性集成电路概述

• 20世纪60年代初，用半导体硅片制成第一个简单的集成放大器。与分立元件电路相比，集成电路在设计上具有若干有利条件。由于所有器件是在一个很小的芯片上同时制造出来，其特性十分一致，而且元件参数具有高的比例精度。线性电路通常需要在一个电路中使用不同类型的器件，因而难以集成，初期发展缓慢。1966年，第一个高性能的通用运算放大器问世。70年代各种高精度的数-模和模-数转换器成为数字技术和信息处理中的关键器件，得到广泛应用。

线性集成电路分类

• ①通用电路，包括运算放大器、电压比较器、稳压电源电路等。

  ②工业控制与测量电路，包括定时器、波形发生器、检测器、模拟乘法器、模拟开关、马达驱动电路、功率控制电路等。

  ③数据转换电路，包括数-模和模-数转换器，电压-频率转换器等。

  ④通信电路，包括电话电路，移动通信电路等。

  ⑤消费类电路，包括电视机、录像机、音响电路等。实际上还有许多其他应用电路，如心脏起搏器等医疗用电路。线性集成电路大多数采用标准双极型工艺制造 ；后来，又开发出金属-氧化物-半导体（MOS）新工艺。
  

线性集成电路特性

• 1、线性集成电路结构特性

  线性集成电路一般采用标准双极型工艺制造。为获得高性能电路，有时在标准工艺基础上作某些修改或采取附加的制造工序，以便在同一芯片上制作不同性能的各种元件和器件。在双极型芯片上制作高性能结型场效应晶体管的技术。当芯片上NPN管形成后,分别用两次离子注入技术掺杂形成低浓度P-型沟道和高浓度N+型栅区其栅-漏击穿电压可达50～60伏,夹断电压可控制在1伏左右。通常的击穿OS技术 这是一种十分复杂的通用性兼容技术，能同时制作各种双极型器件和CMOS器件。用这种技术可将高性能线性电路与高密度的高速结合在一个芯片上。一种用难熔金属钼作为栅极材料的线性CMOS工艺，能把P沟道与N沟道MOS器件制作在线性双极型芯片的N型外延层上，仅须用10次光刻,它具有铝与钼两层互连线。P沟道与N沟道器件可单独或共用一个N区。