如图所示，环路1中，电流自导通的输入旁路电容器(Cin1)，在高端MOSFET的持续导通时间内经该MOSFET，到达内部电感器和输出旁路电容器(CO1)，最后返回输入旁路电容器。　　环路2是在内部高端MOSFET的关断时间以及低端MOSFET的导通时间内形成的。内部电感器中存储的能量流经输出旁路电容器和低端MOSFET，最后返回GND。两个环路互不重叠的区域（包括环路间的边界），即为高di/dt电流区域。在向转换器提供高频电流以及使高频电流返回其源路径的过程中，输入旁路电容器(Cin1)起着关键作用。