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由变压器电位隔离构成的SIPMOS控制电路

2013/12/16 14:58:05;
来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:267

标签:

摘要: 该电路中T1用作反相级,T2由R2控制,并可由T1使之快速截止。R1、R5、R2和R4用于防止电源电压升高时误导通,D7、D8用于使变压器去磁,R3用于衰减可能产生的震荡。变压器次级部分元件的功能与初级类似。

该电路中T1用作反相级,T2由R2控制,并可由T1使之快速截止。R1、R5、R2和R4用于防止电源电压升高时误导通,D7、D8用于使变压器去磁,R3用于衰减可能产生的震荡。变压器次级部分元件的功能与初级类似。变压器电位隔离构成的SIPMOS控制电路
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67