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雪崩晶体管电路分析

2013/12/16 14:59:50;
来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:655

标签:

摘要: 电路如图A所示,图中C1为路能电容器,T1为雪崩晶体管,RL为负载,由于RL加在T2发射极,实际工作中相当于在T1基射间加反向偏压的情形。所以我们用图B分析雪崩晶体管的工作状态。  这两个条件保证,电源Ucc按通时,经电阻R1给C1充电,最终充到UCC.并且,在触发信号到来之前,晶体管T1不会进入雪崩区。  当一正触发信号加到T1基极时,它雪崩导通,于是C1经T1,Rl迅速放电,从而产生电流脉冲。

电路如图A所示,图中C1为路能电容器,T1为雪崩晶体管,RL为负载,由于RL加在T2发射极,实际工作中相当于在T1基射间加反向偏压的情形。所以我们用图B分析雪崩晶体管的工作状态。  这两个条件保证,电源Ucc按通时,经电阻R1给C1充电,最终充到UCC.并且,在触发信号到来之前,晶体管T1不会进入雪崩区。  当一正触发信号加到T1基极时,它雪崩导通,于是C1经T1,Rl迅速放电,从而产生电流脉冲。  脉冲参数由以下因素决定:脉冲前沿又晶体管从地电流进入雪崩区的速度来决定;由于雪崩电阻很小,脉冲宽度基本上由放电回路的时间常数R1C1决定;重复频率取决于充电回路时间常数R1C1的大小,受式限制,重复频率一般在100KHZ以下。  如果用单个雪崩晶体管形成的电流脉冲幅度不够大的话,雪崩管可以并联使用。图5-11就是这样一个例子,其中两个雪崩管并联。  为防止两管并联可能出现不均衡的问题。各管的集电极供电电压分别由两个电位器进行调节。雪崩晶体管电路分析雪崩晶体管并联应用
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67