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场效应管对管驱动电路

2013/12/26 16:14:06;
来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:447

标签:

摘要: 驱动电路由缓冲器U、电阻R2 及1 对小功率场效应对管Q1 、Q2 组成。当控制信号为低电平时,同向缓冲器U 输出低电平,使得与+ 9 V 电源相联的P 沟道场效应管Q2 导通,与地相联的N 沟道场效应管Q3 截止,绝缘栅场效应管Q1的栅极为高电平, N 沟道绝缘栅场效应管Q1 导通; 当控制信号为高电平时, 同向缓冲器U 输出高电平, 使得与+ 9 V 电源相联的P 沟道场效应管Q2 截止, 与

驱动电路由缓冲器U、电阻R2 及1 对小功率场效应对管Q1 、Q2 组成。当控制信号为低电平时,同向缓冲器U 输出低电平,使得与+ 9 V 电源相联的P 沟道场效应管Q2 导通,与地相联的N 沟道场效应管Q3 截止,绝缘栅场效应管Q1的栅极为高电平, N 沟道绝缘栅场效应管Q1 导通; 当控制信号为高电平时, 同向缓冲器U 输出高电平, 使得与+ 9 V 电源相联的P 沟道场效应管Q2 截止, 与地相联的N 沟道场效应管Q3 导通, 绝缘栅场效应管Q1 的栅极为低电平, 绝缘栅场效应管Q1 管截止。电阻R2 是集电极开路同向缓冲器U 的上拉电阻。场效应管对管驱动电路
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67