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锑化铟电流传感器的结构和工作原理

2017/10/27 16:05:37;
来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:497

标签:

摘要: 下面是 [锑化铟电流传感器的结构和工作原理]的电路图   锑化铟电流传感器的结构和工作原理用锑化铟-铟共晶体薄膜磁阻元件制成MRCS的感应磁头(图1)主要由导线、绝缘基片、InSb-In磁阻元件MR1和MR2、永磁体、5个引脚等组成,另外加上起屏蔽和保护作用的金属外壳。MR1和MR2是相对放置的一对磁阻元件,其阻值大致相等,导线置于MR1和MR2的对称轴位置。其等效电路如图1(b)。

下面是 [锑化铟电流传感器的结构和工作原理]的电路图
  

锑化铟电流传感器的结构和工作原理

用锑化铟-铟共晶体薄膜磁阻元件制成MRCS的感应磁头(图1)主要由导线、绝缘基片、InSb-In磁阻元件MR1和MR2、永磁体、5个引脚等组成,另外加上起屏蔽和保护作用的金属外壳。MR1和MR2是相对放置的一对磁阻元件,其阻值大致相等,导线置于MR1和MR2的对称轴位置。其等效电路如图1(b)。

InSb-In磁敏电阻器是该传感器的核心,它的工作机理基于磁阻效应。根据磁阻效应,其电阻率变化为

式中:B是磁感应强度;ρB和ρ0分别为有磁场和无磁场时InSb-In磁敏电阻器的电阻率;μn为载流子的迁移率。这种InSb-In共晶体薄膜磁敏电阻器的磁阻特性仍遵守InSb单晶的规律,为抛物线形状的曲线,可用一元二次三项式表示为

RB/R0=1+αB+βB2 (2)

式中:B是磁感应强度;RB和R0分别为有磁场和无磁场时InSb-In磁敏电阻器的电阻值;α,β是与元件有关的系数。当导线有交流电流通过时,就会在它周围产生一个交变的螺旋管磁场,于是就会在其中间连接点产生一个交变电压信号,然后再经过放大和比较,从而达到对交流电流的监测。

(责任编辑:电路图)
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67