可控硅是一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点，目前交流调压器多采用可控硅调压器。

　　可控硅调压器电路图（一）

　　可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下图所示。 从图中可知，二极管D1—D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。当调压器接上市电后，220V交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压，该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。在交流电的正半周时，整流电压通过R4、W1对电容C充电。

　　当充电电压Uc达到单结晶体管T1管的峰值电压Up时，单结晶体管T1由截止变为导通，于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电，结果在R2上获得一个尖脉冲。这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极， 使可控硅导通。可控硅导通后的管压降很低，一般小于1V，所以张弛振荡器停止工作。当交流电通过零点时，可控硅自关断。当交流电在负半周时，电容C又从新充电……如此周而复始，便可调整负载RL上的功率了。

　　元器件选择

　　调压器的调节电位器选用阻值为470KΩ的WH114-1型合成碳膜电位器，这种电位器可以直接焊在电路板上，电阻除R1要用功率为1W的金属膜电阻外，其余的都用功率为1/8W的碳膜电阻。D1—D4选用反向击穿电压大于300V、最大整流电流大于0.3A的硅整流二极管，如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。SCR选用正向与反向电压大于300V、额定平均电流大于1A的可控硅整流器件，如国产3CT系列。

　　可控硅调压器电路图（二）

　　在很多使用交流电源的负载中，需要完成调光、调温等功能，要求交流电源能平稳地调节电压。图205所示，是一种筒单交流调压器，可代替普通交流调压器，体积小、重量轻、控制方便。

　　工作原理电源经电阻R，和电位器W 向电容C充电。当电容上的电成送到手定值时尧通过二极管D和可控硅控制极，使可控硅触发导通，电流流经负载，可控硅导通后。触发电路被短接。在交流电压为零时，可控硅又自动断开，而后触发电路中电容C再次充电，使可控硅再次导通。改变电容的容量和w阻值。可增大或碱小导通角，使输出电压升高或降低。从而起到调压之目的。

　　可控硅的反向电压由电源电压来定：电流参数由负载Rr 婴求来定。

　　可控硅调压器电路图（三）

　　本例介绍的温度控制器，具有SB260取材方便、性能可靠等特点，可用于种子催 芽、食用菌培养、幼畜饲养及禽蛋卵化等方面的温度控制，也可用于控制电热毯、小功 率电暖器等家用电器。

　　电路图 温度控制器电路如图7.116所示。

　　工作原理

　　220V交流电压经Cl降压、VD，和VD。整流、C2滤波及VS稳压后，一路作为IC（TL431型三端稳压集成电路）的输入直流电压；另一路经RT、R3和RP分压后，为IC提供控制电压。在被测温度低于RP的设定温度时，NTC502型负温度系数热敏电阻器Rr的电阻值较 大，IC的控制电压高于其开启电压，IC导通，使LED点亮，VS受触发而导通，电热器 EH通电开始加热。随着温度的不断上升，Rr的电阻值逐渐减小，同时IC的控制电压也随之下降。当被测温度高于设定温度时，IC截止，使LED熄灭，VS关断，EH断电而停止加热。随后温 度又开始缓慢下降，当被测温度低于设定温度时，IC又导通，EH又开始通电加热。如此循环不止，将被测温度控制在设定的范围内。

　　可控硅调压器电路图（四）

　　一般书刊介绍的大功率可控硅触发电路都比较复杂，而且有些元件难以购买。笔者仅花几元钱制作的触发电路已成功触发100A以上的可控硅模块，用于工业淬火炉上调节380V电压，又装一套用于大功率鼓风机作无级调速用，效果非常好。本电路也可用作调节220V交流供电的用电器。

　　将两只单向可控硅SCRl、SCR2反向并联．再将控制板与本触发电路连接，就组成了一个简单实用的大功率无级调速电路。这个电路的独特之处在于可控硅控制极不需外加电源，只要将负载与本电路串联后接通电源，两个控制极与各自的阴极之间便有5V~8V脉动直流电压产生，调节电位器R2即可改变两只可控硅的导通角，增大R2的阻值到一定程度，便可使两个主可控硅阻断，因此R2还可起开关的作用。该电路的另一个特点是两只主可 控硅交替导通，一个的正向压降就是另一个的反向压降，因此不存在反向击穿问题。

　　但当外加电压瞬时超过阻断电压时，SCR1、SCR2会误导通，导通程度由电位器R2决定。SCR3与周围元件构成普通移相触发电路，其原理这里从略。SCR1、SCR2笔者选用的是封装好的可控硅模块（110A／1000V），SCR3选用BTl36，即600V的双向可控 硅。本电路如用于感性负载，应增加R4，C3阻容吸收电路及压敏电阻RV作过压保护，防止负载断开和接通瞬间产 生很高的感应电压损坏可控硅。

　　可控硅调压器电路图（五）

　　一种吸尘器使用可控硅元件构成调速电路

　　可控硅调压器电路图（六）

　　这个电路的独特之处在于可控硅控制极不需外加电源

　　可控硅调压器电路图（七）

　　一种大功率直流电机调速电路

　　可控硅调压器电路图（八）

　　使用一个负温度系数（NTC）的热敏电阻，用如图1a的电路可以用最少的元件、成本和复杂性将温度控制到1℃或更好的精度。该电路 含有保护以防止温度传感器短路或开路，且所有的元器件都是常用件。 该控制器是PWM类型的，但它有指数的传递特性，而不是线性的。这个设计是基于一个LM339（四比较器），并包含了温度补偿。由 于比较器的温漂会产生的Vos的变化，并导致了振荡器输出改变。然而，在产生工作周期的比较器上，也发生了同样的变化，两者相抵 消从而消除了控制器的温漂。 该控制器的核心是由IC1a、IC1b和相关元件组成的振荡器。振荡器输出的电压峰值和最小电压值是决定控制器精度的主要因素。关于这个振荡器有以下一些公式：

　　PERIOD=［R5&TImes;R6/（R5+R6）+R4］&TImes;C1&TImes;Ln［（VasVmin）/（VasVmax）］seconds

　　DutyCycle=Ln［（VasVtemp）/（VasVmax）］/Ln［（VasVmax）/（VasVmin）］

　　Vmax=Vcc&TImes;R3/（R1+R3）

　　Vmin=Vcc×R2×R3/［R2×R3+R1×（R2+R3）］ Vas=Vcc×R6/（R5+R6）

　　Vtemp=Vcc×（R7+R8）/（Rtherm+R7+R8）

　　振荡器的输出直接接到产生工作周期的比较器IC1c的输入端。R8决定温度的设置点。R8到Rtherm的分压为产生工作周期的比较器提供 比较电压，比较的输出驱动一个光隔离的双向可控硅驱动器。 图1所示出的元件参数值的温度系列是25～115℃。D1和D2用于温度传感器错误和工作周期指示。R9和R10设置IC1d的反相端电平，用 以检测到温度传感器的开路。

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　　单向可控硅最筒单电路图（一）

　　触摸一下金属片开，SCR1导通，负载得电工作。触摸一下金属片关，SCR2导通，继电器J得电工作，K断开，负载失电，SCR2关断后，电容对继电器J放电，维持继电器吸合约4秒钟，故电路动作较为准确。如果将负载换为继电器，即可控制大电流工作的负载。

　　单向可控硅最筒单电路图（二）

　　触摸式台灯电路原理图

　　触摸式台灯电路见图，它分四档控制灯泡的亮度。通电后灯泡不亮，第一次轻轻触摸一下灯罩外壳，灯泡便发出低亮度的光，第二次触摸灯泡发出中亮度的光，第三次触摸灯泡变为全亮，第四次触摸灯泡熄灭，依次循环。此电路易出现的故障是双向可控硅９７Ａ６坏及灯罩金属外壳与电路触摸输入端子之间接触不良。

　　小编调试电路时，TT6061用GS6061代替，１Ｎ４００４用１Ｎ４００７代替，其余元件与图中相同。经验证，电路工作可靠，能实现方中所述功能。但双向可控硅易损坏，建议读者制作时在可控硅两端并联一电阻电容串联所组成的保护电路。

　　单向可控硅最筒单电路图（三）

　　可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原理图如下图所示。 从图中可知，二极管D1—D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。当调压器接上市电后，220V交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压，该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。在交流电的正半周时，整流电压通过R4、W1对电容C充电。

　　当充电电压Uc达到T1管的峰值电压Up时，T1管由截止变为导通，于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电，结果在R2上获得一个尖脉冲。这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极， 使可控硅导通。可控硅导通后的管压降很低，一般小于1V，所以张弛振荡器停止工作。当交流电通过零点时，可控硅自关断。当交流电在负半周时，电容C又从新充电……如此周而复始，便可调整负载RL上的功率了。

　　单向可控硅最筒单电路图（四）

　　一般书刊介绍的大功率可控硅触发电路都比较复杂，而且有些元件难以购买。笔者仅花几元钱制作的触发电路已成功触发100A以上的可控硅模块，用于工业淬火炉上调节380V电压，又装一套用于大功率鼓风机作无级调速用，效果非常好。本电路也可用作调节220V交流供电的用电器。

　　电路见图。将两只单向可控硅SCRl、SCR2反向并联．再将控制板与本触发电路连接，就组成了一个简单实用的大功率无级调速电路。这个电路的独特之处在于可控硅控制极不需外加电源，只要将负载与本电路串联后接通电源，两个控制极与各自的阴极之间便有5V~8V脉动直流电压产生，调节电位器R2即可改变两只可控硅的导通角，增大R2的阻值到一定程度，便可使两个主可控硅阻断，因此R2还可起开关的作用。

　　该电路的另一个特点是两只主可控硅交替导通，一个的正向压降就是另一个的反向压降，因此不存在反向击穿问题。但当外加电压瞬时超过阻断电压时，SCR1、SCR2会误导通，导通程度由电位器R2决定。SCR3与周围元件构成普通移相触发电路，其原理这里从略。

　　SCR1、SCR2笔者选用的是封装好的可控硅模块（110A／1000V），SCR3选用BTl36，即600V的双向可控硅。本电路如用于感性负载，应增加R4，C3阻容吸收电路及压敏电阻RV作过压保护，防止负载断开和接通瞬间产生很高的感应电压损坏可控硅。

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