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场效应管(mos管)功放电路图 功放电路基础知识

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:2514

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摘要: 场效应管也就是mos管,在电子发烧音响领域内,场效应管功放电路应该算是基础应用的电路之一了。它在音响行业中,扮演着地位举足轻重的角色。那么各位电工爱好者,对这个电路是否有了解呢?接下来小编将结合场效应管功放电路图,为您详细解说。

场效应管也就是mos管,在电子发烧音响领域内,场效应管功放电路应该算是基础应用的电路之一了。它在音响行业中,扮演着地位举足轻重的角色。那么各位电工爱好者,对这个电路是否有了解呢?接下来小编将结合场效应管功放电路图,为您详细解说。

场效应管功放电路图

1. 自制的场效应功放电路图

自制的场效应功放电路图


自制的场效应功放电路图解读


为减小失真,输入级采用差动放大电路。V1用对管2SC1583,稳定性和对称性好;V2接成恒流源,为本级提供稳定的静态工作电流,采用恒流源作差动放大器的射极电阻,可提高差动放大器的共模抑制比和动态范围,从而进一步改善失真。c1为输入耦合电容,R1、c2构成低通滤波器,阻止前级的超音频干扰信号窜入功放;R2决定了功放的输入阻抗。合形式,是从成本上考虑的。若全用场效应管,效果更好。


各管的射(阴)极都加有本级电流负反馈电阻,起稳定静态工作点的作用。有利于改善失真。整机负反馈则由R18、R19、C6、C7组成,总增益约为26.8dB。C7是隔直电容,使前后级形成直流全负反馈,保证输出中点静态零电位。


c3、c6是为了抑制高频自激振荡而设置。放大器的电压增益大部分由v3获得,而c3可产生高频负反馈,降低放大器的高频增益,破坏高频自激的幅度条件。但c3又使高频相位 更加滞后,所以在反馈回路中加入C6,进行相位超前补偿,破坏高频自激的相位条件。


C5、R17组成相移校正电路,使负载近于纯电阻。防止高频自激。由于扬声器阻抗中的电感分量在高频时明显增加,使放大器的负载呈电感性,引起输电流滞后于输m电 压。若放大器的高频增益较高,还容易产生高频自激振荡。


R13、R14串接在栅极是防止VMOS管产生高频自激。(]由于栅极的高阻抗,加上接线及分布电容、电感和栅极分布电容的影响,VMOS管在工作中可会出现高频自激振荡。解决V3为第二级电压放大管,V5接成恒流源,为本级提供稳的静态工作电流和高的负载阻抗,由于V5的存在,v3的压增益大为提高,这样,就不必用自举电路。


V4、VR和R9接在V3、V5集电极之间构成Vbe扩大电,调节VR可改变末级大功率管的静态工作电流。V4还起度补偿作用,当功率管的温度升高时,V4的发射结压降小,于是V4的集电极一发射极电压也降低,从而降低了功管的静态电流,作用与二极管相似,但比二极管更灵,安装时应与功率管一起装在散热器上,电气上要绝。


V6一V9等组成输出级,采用双极型晶体管与场效应管混的办法是加入阻尼电阻,即在栅极串接一只电阻(一般不超过1kQ)。

2. 场效应管构成的功放电路图

场效应管构成的功放电路图

场效应管构成的功放电路图解读


电路主要由两级差动放大及三级射极跟随电路组成,如图1所示。N沟道场效应管VT1、VT2构成第一级共源差动放大器,而VT3、VT4分别又与VT1、VT2构成共栅共源电路。众所周知差动放大器具有共模抑制比高、失调和漂移小的优良性能。而在共栅共源电路中,后级的输入电阻就是前级的负载电阻,由于共栅电路的输入电阻较小,使前级共源极的电压增益变小,但组合电路的电压增益主要由共栅极决定,输出电阻则主要由共栅极决定。


因为前级共源极的电压增益变小,所以特别适宜于高频工作。R3、VT5、R4构成1mA的恒流源,此电流在VD3、R7上产生22V的电压,从而使VT3、VT4的栅极电压稳定在22V。


由于栅源极间电压很小,VT3、VT4.的源极电压即VT1、VT2的漏源电压就稳定在22V。VT3、VT4的漏源电压也稳定在约22V。对直流而言VT3、VT4的栅极电位为22V,对交流而言VT3、VT4的栅极电位为0V,因此为共栅电路。R11、VT6构成第一级差动电路的恒流源,其作用是提高交流阻抗,提高共模抑制比。R5、C2是相位补偿元件,用于防止高频振荡。 VT8、VT9构成第二级差动电路,VT7为其恒流源。VT0、VT11为比例式镜像恒流源电路,VT11的集电极电流与VT10电流之比等于R22/R23,由于R22=R23,因此差动电流两臂的电流是相等的。


VT12、VT13为末三级射极跟随电路提供合适的工作电流点。


在输入信号为正时,R29、R30的中点以及输出O点电位为正,因此均可作为VT1、VT2差动级的负反馈电压。R38、C9构成低通滤波器,角频率为1Hz时增益即下降到1/根号2。集成电路TL072构成输出点直流稳零跟随器,其输出Uo与其输入Ui的关系为Uo=Ui+1/T∫Uidt,即Uo为Ui的比例积分,Uo作用于VT1、VT2差动级负反馈,能使O点直流电位为士10mV以下。在开环增益足够大的情况下,整个后级电路的闭环电压增益等于R14/R12。

不知道小编关于场效应管功放电路图的解说,您是否满意呢?如果还有任何疑问,欢迎继续关注小编,小编会在接下来的日子里,为您尽心答疑解惑!

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
型号/产品名 平均报价 涨跌幅
STM8S003F3P6 1.55 1.12%
74HC573D 0.64 2.86%
2N7002 3.66 400.00%
STM32F103C8T6 7.47 27.87%
1N4007 1.58 0.00%
ADM2483BRWZ 8.90 3.21%
SHT10 16.21 5.88%
STM32F103RCT6 12.56 24.44%
78L05 10.55 66.67%
LM358 118206.75 16.67%
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