摘要: 你们了解过场效应管开关电路吗?该电路一般分为两种,一种是N沟道,另一种是P沟道,如果你的电路设计中要应用到高端驱动的话,可以采用PMOS来导通,感兴趣的话就随小编一起来了解下P沟道和N沟道MOS管开关电路图吧!
你们了解过场效应管开关电路吗?该电路一般分为两种,一种是N沟道,另一种是P沟道,如果你的电路设计中要应用到高端驱动的话,可以采用PMOS来导通,感兴趣的话就随小编一起来了解下P沟道和N沟道MOS管开关电路图吧!
Mos管关电路图
MOS管开关电路是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种。
1、P沟道MOS管开关电路
PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。需要注意的是,Vgs指的是栅极G与源极S的电压,即栅极低于电源一定电压就导通,而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大,所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。
2、N沟道mos管开关电路
NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了,漏极D接电源,源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差,所以当NMOS作为高端驱动时候,当漏极D与源极S导通时,漏极D与源极S电势相等,那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压,漏极D与源极S才能继续导通。
以上就是关于场效应管开关电路的相关介绍,高端驱动一般应用的是PMOS的特性,而低端驱动一般应用于NMOS的特性,测量的是栅极G与源极S的压差。
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型号 | 厂商 | 价格 |
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0458007.DR | 力特 | ¥0.65 |
0603FT3A | SKYGATE | ¥0.23 |
1.5KE30A-E3/54 | 威世 | ¥1.22 |
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1N4148 | 仙童 | ¥0.062 |
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28A0434-0A2 | 京瓷 | ¥3.35 |
型号/产品名 | 平均报价 | 涨跌幅 |
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74HC573D | 0.64 | 2.86% |
2N7002 | 3.66 | 400.00% |
STM32F103C8T6 | 7.47 | 27.87% |
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ADM2483BRWZ | 8.90 | 3.21% |
SHT10 | 16.21 | 5.88% |
STM32F103RCT6 | 12.56 | 24.44% |
78L05 | 10.55 | 66.67% |
LM358 | 118206.75 | 16.67% |
STM32F103RET6 14796 件
长沙华创科技有限公司
GD32F303RET6 960 件
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STM32F103RET6 16542 件
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S9S12HY48J0CLL 4500 件
13666611170
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