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摘要： 你们了解过场效应管开关电路吗?该电路一般分为两种，一种是N沟道，另一种是P沟道，如果你的电路设计中要应用到高端驱动的话，可以采用PMOS来导通，感兴趣的话就随小编一起来了解下P沟道和N沟道MOS管开关电路图吧!
你们了解过场效应管开关电路吗?该电路一般分为两种，一种是N沟道，另一种是P沟道，如果你的电路设计中要应用到高端驱动的话，可以采用PMOS来导通，感兴趣的话就随小编一起来了解下P沟道和N沟道MOS管开关电路图吧!
Mos管关电路图
MOS管开关电路是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。
1、P沟道MOS管开关电路
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大，所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。
2、N沟道mos管开关电路
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了，漏极D接电源，源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差，所以当NMOS作为高端驱动时候，当漏极D与源极S导通时，漏极D与源极S电势相等，那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压，漏极D与源极S才能继续导通。
以上就是关于场效应管开关电路的相关介绍,高端驱动一般应用的是PMOS的特性，而低端驱动一般应用于NMOS的特性，测量的是栅极G与源极S的压差。
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| 型号 | 厂商 | 价格 |
|---|---|---|
| AMS1117-3.3 | SLKOR | ￥0.29 |
| STM8S003F3P6 | ST | ￥7.69 |
| GD32F103C8T6 | GD | ￥41.63 |
| STM32F407VET6 | ST | ￥108.64 |
| STM32F407VGT6 | ST | ￥185.77 |
| 78L05 | MIXIC | ￥0.52 |
| PT4115 | HX | ￥1.68 |
| TPS51200DRCR | TI | ￥19.20 |
| 74HC595D | HTC | ￥1.27 |
| ULN2003ADR | TI | ￥0.96 |
| 型号/产品名 | 平均报价 | 涨跌幅 |
|---|---|---|
| STM8S003F3P6 | 1.55 | 1.12% |
| 74HC573D | 0.64 | 2.86% |
| 2N7002 | 3.66 | 400.00% |
| STM32F103C8T6 | 7.47 | 27.87% |
| 1N4007 | 1.58 | 0.00% |
| ADM2483BRWZ | 8.90 | 3.21% |
| SHT10 | 16.21 | 5.88% |
| STM32F103RCT6 | 12.56 | 24.44% |
| LM358 | 118206.75 | 16.67% |
CRTOUCHB10VFM 2050 件
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LTC1481IS8 200 件
18938651199
LTC1481IS8#TRPBF 200 件
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STK621-713 2 件
深圳市龙锐达电子有限公司
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