电子元器件原材料
采购平台

手机洽洽

扫一扫下载客户端
随时随地,生意尽握手中

P沟道和N沟道MOS管开关电路图

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:302

标签: 开关 mos管 开关电路

摘要: 你们了解过场效应管开关电路吗?该电路一般分为两种,一种是N沟道,另一种是P沟道,如果你的电路设计中要应用到高端驱动的话,可以采用PMOS来导通,感兴趣的话就随小编一起来了解下P沟道和N沟道MOS管开关电路图吧!

你们了解过场效应管开关电路吗?该电路一般分为两种,一种是N沟道,另一种是P沟道,如果你的电路设计中要应用到高端驱动的话,可以采用PMOS来导通,感兴趣的话就随小编一起来了解下P沟道和N沟道MOS管开关电路图吧!

Mos管关电路图

MOS管开关电路是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种。

1、P沟道MOS管开关电路

image.png

PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。需要注意的是,Vgs指的是栅极G与源极S的电压,即栅极低于电源一定电压就导通,而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大,所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。

2、N沟道mos管开关电路

image.png

NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了,漏极D接电源,源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差,所以当NMOS作为高端驱动时候,当漏极D与源极S导通时,漏极D与源极S电势相等,那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压,漏极D与源极S才能继续导通。

以上就是关于场效应管开关电路的相关介绍,高端驱动一般应用的是PMOS的特性,而低端驱动一般应用于NMOS的特性,测量的是栅极G与源极S的压差。

型号 厂商 价格
0458007.DR 力特 ¥0.65
0603FT3A SKYGATE ¥0.23
1.5KE30A-E3/54 威世 ¥1.22
1241434-1 TYCO ¥41.17
1N4148 仙童 ¥0.062
2007562-6 POTTER ¥255.10
04025A101FAT2A AVX ¥0.15
0402WGF1002TCE UNIOHM ¥0.004
22-05-7035 MOLEX ¥2.98
28A0434-0A2 京瓷 ¥3.35
型号/产品名 平均报价 涨跌幅
STM8S003F3P6 1.55 1.12%
74HC573D 0.64 2.86%
2N7002 3.66 400.00%
STM32F103C8T6 7.47 27.87%
1N4007 1.58 0.00%
ADM2483BRWZ 8.90 3.21%
SHT10 16.21 5.88%
STM32F103RCT6 12.56 24.44%
78L05 10.55 66.67%
LM358 118206.75 16.67%
发布求购