使用TNY376PN的四路输出、平均输出功率7.5W、峰值功率13W的电源电路

图14显示了一个采用TNY376的低成本、通用输入、四路输出的反激式电源设计。连续输出功率为7.5 W，峰值功率为13 W。输出电压分别为3.3 V、5 V、12 V及–12 V。经整流及滤波的输入电压加在T1的初级绕组上。U1中集成的MOSFET驱动变压器初级的另一侧。二极管D5、C3、R1、R2、及VR1组成箝位电路，将漏极的漏感关断电压尖峰控制在安全值范围以内。齐纳二极管箝位及并联RC的结合使用不但优化了EMI，而且更有效率。

3.3 V及5 V输出通过电阻R6及R7进行检测。R8上的电压由参考IC U3调节到2.5 V。如果R8上的电压开始超过2.5 V，U3的阴极就会驱使电流流入光耦U2内部的LED，从而下拉光耦中晶体管的电流。当此电流超出使能引脚阈值电流时，将抑制下一个开关周期。相反地，当R13上的电压下降到2.5 V以下时，使能引脚的电流低于阈值电流，从而进入一个传导周期。通过调整使能的周期数量来对输出电压进行调节。随负载的减轻，使能周期也随之减少，从而降低有效的开关频率，根据负载情况减低开关损耗。因此能够在负载极轻时提供恒定的效率，易于满足能效标准的要求。

输入滤波电路（C1、L1及C2）降低传导EMI。为改善共模EMI，此设计在变压器内采用了E-ShieldTM屏蔽技术，来降低共模EMI位移电流及EMI。这些技术与TNY376的频率抖动相结合，令此设计具有出色的传导及辐射EMI性能，比EN55022 B级对传导EMI所规定的要求还多出10 dBμV的裕量。设计灵活性方面，C4的数值在U4的三个电流限流点之间选择。设计师可根据应用选用相应的电流限流点。使用0.1 μF的BP/M引脚电容器件会工作在标准的电流限流点上，是典型应用的常用选择。

当使用1 μF的BP/M引脚电容，器件工作的限流点会降低，从而降低流经器件的RMS电流值并因此提高效率，但会影响最大输出功率的能力。非常适用于对温度要求高、需要考虑更好散热的设计。当使用10 μF的BP/M引脚电容，器件工作的电流限流点会升高，在温度允许的情况下，器件的峰值输出功率或持续输出功率会有所增加。

此外，设计灵活性还表现在TinySwitch-PK产品系列相邻型号之间的电流限流值的相互兼容。某一器件降低的电流限流点与相邻更小型号的标准电流限流点相同，而提高的电流限流点与相邻更大型号的标准电流限流点相同。