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扩充能力和容量的位三元CAM

2011/6/9 18:29:07;
来源:<a href='http://bbs.hqew.com/viewthread.php?tid=515703' target='_blank'>shuankaige</a> 作者:华仔 浏览:692

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摘要: 生产商:MOSAIDTechnologiesIncorporated产品说明:扩充能力和容量的位三元CAMDRAM的工艺使得更高的密度和更强的灵活性成为可能----DC2144-15TClass-IC是一种基于DRAM阵列的2M位内容可定址存储器(CAM),它的各个单元是三元的——能够独立于其他位被设置为“不予考虑”。这样使得该器件既比基于SRAM的CAM有更大的密度,又比带有独立的掩模寄存器的CAM有更高的灵活性,后者有时设置字中的位组而不是单个的位。虽然这种CAM主要针对网络

   生产商:MOSAID Technologies Incorporated

 产品说明:

 

扩充能力和容量的位三元CAM
DRAM的工艺使得更高的密度和更强的灵活性成为可能

---- DC2144-15T Class-IC是一种基于DRAM阵列的2M位内容可定址存储器(CAM),它的各个单元是三元的——能够独立于其他位被设置为“不予考虑”。这样使得该器件既比基于SRAM的CAM有更大的密度,又比带有独立的掩模寄存器的CAM有更高的灵活性,后者有时设置字中的位组而不是单个的位。虽然这种CAM 主要针对网络交换应用中的地址匹配,它的灵活性特点使之也能在其他表搜索中应用。

----CAM运行在66MHz频率下,每一个时钟周期可以做一次完全的搜索。为了在引脚数相对适度的条件下提供这种速度,它采用双倍数据速率同步接口。

----DRAM阵列可以由用户进行三种规模的配置:16K×144,32K×72,以及64K×36位。最多可以用8个器件无缝级联,使表的大小超过500000个36位项而不影响性能。

----这种器件通过19位地址输出通常返回优先级最高的匹配。在需要的时候它也能够输出全部的匹配地址,还能够在输出的中途停止。

 ----其他特点还有单周期学习及自动老化。对于数据写、自动学习和多搜索模式可以有8个分开的掩模寄存器提供各自的掩模。I/O是LVTTL。器件采用304引脚BGA封装。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67