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摘要: 生产商:MOSAIDTechnologiesIncorporated产品说明:扩充能力和容量的位三元CAMDRAM的工艺使得更高的密度和更强的灵活性成为可能----DC2144-15TClass-IC是一种基于DRAM阵列的2M位内容可定址存储器(CAM),它的各个单元是三元的——能够独立于其他位被设置为“不予考虑”。这样使得该器件既比基于SRAM的CAM有更大的密度,又比带有独立的掩模寄存器的CAM有更高的灵活性,后者有时设置字中的位组而不是单个的位。虽然这种CAM主要针对网络
产品说明:
扩充能力和容量的位三元CAM
DRAM的工艺使得更高的密度和更强的灵活性成为可能 ---- DC2144-15T Class-IC是一种基于DRAM阵列的2M位内容可定址存储器(CAM),它的各个单元是三元的——能够独立于其他位被设置为“不予考虑”。这样使得该器件既比基于SRAM的CAM有更大的密度,又比带有独立的掩模寄存器的CAM有更高的灵活性,后者有时设置字中的位组而不是单个的位。虽然这种CAM 主要针对网络交换应用中的地址匹配,它的灵活性特点使之也能在其他表搜索中应用。
----CAM运行在66MHz频率下,每一个时钟周期可以做一次完全的搜索。为了在引脚数相对适度的条件下提供这种速度,它采用双倍数据速率同步接口。
----DRAM阵列可以由用户进行三种规模的配置:16K×144,32K×72,以及64K×36位。最多可以用8个器件无缝级联,使表的大小超过500000个36位项而不影响性能。
----这种器件通过19位地址输出通常返回优先级最高的匹配。在需要的时候它也能够输出全部的匹配地址,还能够在输出的中途停止。
----其他特点还有单周期学习及自动老化。对于数据写、自动学习和多搜索模式可以有8个分开的掩模寄存器提供各自的掩模。I/O是LVTTL。器件采用304引脚BGA封装。
上一篇:秒信号发生器电路图
型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |