根据前述的CMOS门电路的结构和工作原理，同样可以用BiCMOS技术实现或非门和与非门。如果要实现或非逻辑关系，输入信号用来驱动并联的N沟道MOSFET，而P沟道MOSFET则彼此串联。正如下图所示的
2输入端或非门。

　　当A和B均为低电平时，则两个MOSFET M_PA和M_PB均导通，T₁导通而M_NA和M_NB均截止，输出L为高电平。与此同时，M₁通过M_PA和M_pB被V_DD所激励，从而为T₂的基区存储电荷提供一条释放通路。
　　另一方面，当两输入端A和B中之一为高电平时 ，则M_pA和M_pB的通路被断开，并且M_NA或M_NB导通，将使输出端为低电平。同时，M_1A或M_1B为T₁的基极存储电荷提供一条释放道路。因此 ，只要有一个输入端接高电平，输出即为低电平。