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摘要: E1(T1)保护电路及方案耦合器之前采用TPN3021RL,该器件集成了三个TSS管,进行差模和共模的保护。耦合器之后接口芯片之前采用TVS管P0060进行保护。该电路完全满足YD5098-2001标准的3KA(8/20μs)冲击电流要求。GDT采用LT-B3R090L陶瓷气体放电管,进行共模和差模保护。后级采用PJSLC05进行保护,也可采用上下拉二极管进行保护。
E1(T1)保护电路及方案
耦合器之前采用TPN3021RL,该器件集成了三个TSS管,进行差模和共模的保护。耦合器之后接口芯片之前采用TVS管P0060进行保护。该电路完全满足YD5098-2001标准的3KA(8/20μs)冲击电流要求。
GDT采用LT-B3R090L陶瓷气体放电管,进行共模和差模保护。后级采用PJSLC05进行保护,也可采用上下拉二极管进行保护。
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型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |