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摘要: 华强电子网《技术资料》频道提供国外各种电路图、电源电路图、555电路图、原理图、功放电路图、手机电路图、汽车电路图、音频电路图、电子制作电路图等.
有几个LDO(低压降)稳压器专门设计的集成电路芯片。大厦LDO的使用标准运算放大器和分立元件可替代。这里是一个LDO电路设计:
这里的一些准则来选择元件值:
D1是选择了最佳的性能,清晰的小康过渡曲线更好。有人说,5,6 V齐纳二极管具有优于其他电压的电压调节。但实际上可以使用任何低于预期的最低输出电压的电压。将输出电压VD(R4 + R3)/ R3的VD,是齐纳二极管D1的电压。
R1是选定的,所以确切的D1电压将超过输入电源电压范围变化最小的漂移。看的D1数据表。R1通常并不重要,并且可以使用较大的值来保存当前的损失。
R3和R4用来设置预期的输出电压,并选择尽可能大的保护电流损耗,但应该比运算放大器的输入阻抗小。
Q1是为获得最佳性能最低的Vce滴的选择,更高的增益(HFE),和集电极电流必须能处理预期的最大负载电流。
Q2必须具有低压降的Vce稳压器是调节低电压源,但并不非常重要,如果输入电源电压高。
R2可以选择,以确保Q2始终是“上”,即使当稳压器被卸载。只要记住,R2两端的电压是与第一季度的Vbe相同,您可以设置R2的值设置在Q2的国际教育局/冰曲线最佳Q2的电流冰。
选择最好的高增益,最高输入阻抗运放A1。A1的最重要的特点是输出摆幅应该有能力去开启低于第二季度的VBE点。
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型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |