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高频率调制器电路设计

2011/12/5 13:52:14;
来源:华强卡卡 作者:—— 浏览:1568

标签:

摘要:  这样的问题是可以克服的用人基地充电电容调制。电阻R1建立QL的电流,和R2允许集电极偏置电流通过VMOD的控制 。输电线路(T1)的负阻型振荡器决定振荡频率。T1是高品质,低损耗,陶瓷同轴短路四分之一波长传输线。在适当的终端阻抗,负阻“看到”QL的基地 。T1的反应,这种消极的抵抗,产生持续的振荡频率调制是通过改变Q1的集电极偏置电流,从而改变了QL的基充电电容。这种效果是“看到”QL的基地造成一个的谐振四分之一波节点频移

  这种电子工程电路是一个非常简单的varactorless高频调制器。传统上,高频率的振荡器使用变容二极管调频。然而,变容二极管,通常需要一个大的电压变化,实现了合理的电容的变化,在许多电池供电系统中存在的问题。

 

  这样的问题是可以克服的用人基地充电电容调制。电阻R1建立QL的电流,和R2允许集电极偏置电流通过VMOD的控制 。输电线路(T1)的负阻型振荡器决定振荡频率。T1是高品质,低损耗,陶瓷同轴短路四分之一波长传输线。在适当的终端阻抗,负阻“看到”QL的基地 。T1的反应,这种消极的抵抗,产生持续的振荡频率调制是通过改变Q1的集电极偏置电流,从而改变了QL的基充电电容。这种效果是“看到”QL的基地造成一个的谐振四分之一波节点频移。

 

  这varactorless高频率调制器的电子项目,必须将动力从一个简单的直流3伏电源源(可以使用一个3伏电池) 。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67