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摘要: 一个最大的FR4板厚度18密尔建议,以尽量减少过孔和跟踪电感。大值的旁路电容(1000 pF和更大)不必位于接近的PM2107,但必须在电路中,以确保低频率稳定。R3和R4改善带内稳定,R1和R2提供波段稳定。下方放大器及相关的匹配网络领域必须有一个连续的接地平面。熔融铅引脚3和8为第二阶段的PM2107提供低电感源地。
使用PM2107 IC可以实现一个非常简单和GaAs RFIC功率放大器2400 MHz ISM频段的应用 。这两个阶段的RFIC放大器片外匹配各种应用提供最佳性能。从5伏电源工作,PM2107可以产生45%的典型效率的饱和输出功率为1瓦。引脚2,4,7和9都是“射频热”,并要求匹配网络或绕过所示电路上面的原理图。
一个最大的FR4板厚度18密尔建议,以尽量减少过孔和跟踪电感。大值的旁路电容(1000 pF和更大)不必位于接近的PM2107,但必须在电路中,以确保低频率稳定。R3和R4改善带内稳定,R1和R2提供波段稳定。下方放大器及相关的匹配网络领域必须有一个连续的接地平面。熔融铅引脚3和8为第二阶段的PM2107提供低电感源地。
微带地平面电感应在尽可能低的接地这些引脚 。接地引脚应通过传输线,以达到所需的输入匹配和改善带内稳定 。其他的接地引脚(5,6,10)也应该连接到地面,通过一个低阻抗通路。TRL1,TRL2,C8和R3是由一种有损输入匹配。TRL2提供地面两个阶段之间的隔离,提高稳定性 。输出匹配网络的TRL3组成,C1和C2、INT表波纹管,你可以看到这个射频功率放大器项目所需的所有部件 。
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型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |