上海华力微电子有限公司于2010年1月在上海张江高科技园区成立。公司投资总额145亿元人民币，其中注册资金79亿元人民币。投资方为上海联和投资有限公司、上海宏力半导体制造有限公司、上海华虹NEC电子有限公司、上海华虹（集团）有限公司。

华力微电子是国家“999”工程升级改造----12英寸集成电路芯片生产线项目的建设和运营单位。该项目是国家《电子信息产业调整和振兴计划》确定的重大工程，是上海市推进高新技术产业化重大项目。华力微电子租赁并净化装修上海宏力半导体制造有限公司现有12英寸厂房，购买芯片生产设备，增添动力设施，将建设一条月产能3.5万片、工艺水平达到90-65nm技术等级的12英寸集成电路芯片生产线。

华力微电子将以已有的国际合作成果为基础，和国家级集成电路研发中心共同开发90-65-45nm标准工艺，建立持续的技术创新能力。公司的生产技术主要包括标准CMOS、数模混合CMOS、RF、CMOS、NOR、Flash等。

华力微电子将采用代工模式，为设计公司、IDM公司和其他系统公司代工逻辑和闪存芯片。这些芯片将广泛应用于3G移动通信手机、数字电视、机顶盒、数码相机、PC、游戏机、汽车、家电以及各类智能卡等产品中。

55纳米低功耗逻辑工艺（55nm LP）：该工艺具有低功耗高性能的优势，平台支持三种阈值电压的组件，并可提供输入输出电压为1.8V、2.5V、3.3V的组件，符合业界标准，目前该工艺平台良率高达95%，并顺利通过可靠性验证。

40纳米低功耗逻辑工艺（40nm LP）：该工艺采用浸没式光刻技术、各种不同增强载子迁移率的技术、超浅结技术和超低介电常数介质，能进一步优化耗电量及效能。

55纳米高压工艺（55nm HV）：采用先进的193nm浸润技术，low-k材质的铜互连工艺，具有超低功耗的优势，支持高达32V的应用，可满足高分辨率中小尺寸屏幕驱动芯片的设计需求。