;;; 下面确定温度补偿用LM3S615-IQN50-C2的晶体管Tri。只要这个晶体管集电极电流Ic的最大额定值在6.5mA以上（Tr4或Trs的IDSS的最大值），集电极一发射极电压的最大额定值在几伏以上（一MOSFET的栅极一栅极间的偏置电压值，关于这个值将在后面将作说明），什么样的器件都可以。
;;; 考虑到与Tr2、Tr s的热耦合，选用T0126全模封装——金属部分不暴露出的绝缘型封装的低频中功率放大用晶体管2SC3423(东芝)。表5.3列出了2SC3423的特性。
;;; 这个电路中流过基极侧(Rs、VR1、R6)的电流i。由Rs决定（因为Rs的电压降是Tri的VBE）。为了可以忽略基极电流，取如大于集电极电流的1/10。这里取IB=0.5mA(集电极电流为从电流源的设定电流1.2～6.5mA扣除这个0.5mA的值)。所以Rs =1.2kfl(约0.6V／O.5mA)。;;;;;;;;;;;;;;;; ;;;;;;;;;;;;