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由单片真有效值功率测量系统AD8362构成真有效值电平测量仪电路

2013/12/6 17:48:07;
来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:1056

标签:

摘要: 由单片真有效值功率测量系统AD8362构成真有效值电平测量仪电路本电路图所用到的元器件:AAD8362 由AD8362构成真有效值电平测量仪的电路如图所示,AD8362的输出电压直接送给数字电压表(DVM)。但须注意,由于DVM的读数与被测电压有效值的对数成正比,因此它属于电压电平测量仪,显示单位是dBv。在测量输入频率极高的射频信号时,必须采取以下措施:一是在输入端增加退耦电容(或阻容退耦网络)

由单片真有效值功率测量系统AD8362构成真有效值电平测量仪电路本电路图所用到的元器件:AAD8362 由AD8362构成真有效值电平测量仪的电路如图所示,AD8362的输出电压直接送给数字电压表(DVM)。但须注意,由于DVM的读数与被测电压有效值的对数成正比,因此它属于电压电平测量仪,显示单位是dBv。在测量输入频率极高的射频信号时,必须采取以下措施:一是在输入端增加退耦电容(或阻容退耦网络),二是要尽量缩短输入信号引线、退耦电容引线及接地引线的长度。+5V电源的退耦网络由R1、C1和C2组成,将C1、C2相并联可降低电容的阻抗。CHPF、CDEC、CCPL和CLPF为所对应引脚的退耦电容,具体电容量应视被测信号的频率下限fL而定。例如,在测量高频信号时CHPF的电容量应非常小,才能缩短响应时间;测量低频信号(如fL=100Hz)时,CHPF可取10μF以保证滤波效果,此时响应时间约为20μs。
型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67