3月15日北京消息 安捷伦科技日前宣布，推出agilent 4075和4076 dc/rf/脉冲参数测试仪，用来检定使用高级工艺技术(如65 nm技术节点)制造的器件。通过agilent 4075和4076，半导体测试工程师可以同时测量rf特点和dc特点，以满足当前体积日益缩小的多样化半导体器件需求，如65 nm及更高工艺的超薄栅氧化物晶体管、绝缘体上硅(soi)晶体管和高介电常数(高k)器件。

　　体积缩小和器件速度提高，日益需要在生产过程中实现新的参数测试功能，而过去只有在实验室中才需要这些功能。agilent 4075和4076为精确检定新的器件结构提供了所需的灵活性，如超薄栅氧化物mosfet (金属氧化物半导体场效应晶体管)或通信应用中使用的高速半导体器件。通过先进的设计，agilent 4075和4076支持10-ns短脉冲式iv测量，对热量或电荷异常灵敏的器件必需进行此类测量，如高速逻辑应用中使用的soi晶体管和高介电常数晶体管。此外，agilent 4076支持直到1 fa的超低电流测量功能。　　“agilent 4075和4076使广大客户能够高效检定使用65 nm工艺技术制造的先进器件，从而加快器件开发周期，改善产出。”安捷伦hachioji半导体测试分部副总裁兼总经理minoru ebihara说，“由于高频脉冲式测量功能，这些系统有助于正确检定对热量灵敏的器件。”　　与整个4070系列一样，agilent 4075和4076支持300 mm secs/gem自动化协议，这些协议已经在世界各地的生产线中得到验证。secs/gem是半导体行业的标准，保证制造设备共享一致的界面和行为。　　agilent 4075和4076同时支持hfcv (4294a)仪器和rfcv (ena/pna)仪器，使得用户能够选择最佳方法，满足自己的工艺技术和生产测试需求。另外，agilent 4075和4076把高速电容测量单元(cmu)集成到测试头中，这一功能可以在1 khz - 2 mhz频率范围内，对层间/层内氧化物非常快速地进行电容测量，从而改善吞吐量，降低测试成本。　　通信应用和高速逻辑应用要求深入检定高速半导体器件的性能。agilent 4075与4076皆支持利用pna进行rf的s参数测试功能，相对于目前市面上使用vna的解决方案，以pna为主的rf解决方案可提供更高的产出速度。 　　诸如soi或高k等最新的先进技术需要超短的脉冲测试能力，以防止产生有害的热量或电荷敏感效应。然而，生产测试系统的脉冲式测量能力却只限于测量微秒的范围。agilent 4075与4076可提供短至10纳秒的超短脉冲式iv测量能力，能有效地测量soi或高k晶体管等对热或电荷高度敏感组件的特性。　　agilent 4076还为生产测试提供了实验室测试功能。高级工艺通常要求在生产中精确测量各种参数，如mosfet低于门限的泄漏电流和铜(cu)金属van der paw电阻。这些测量要求异常精确的电流和电压测量分辨率，而此前只有实验室中才能提供这种分辨率。　　agilent 4075和4076所有的rf、hfcv和超短脉冲式iv测量功能都可以在整个新设计的直接对接接口上使用。这种直接对接的设计可通过自动化的探针卡更换机制，让使用者轻易地控制和变换探针卡，而且这种rf直接对接的方式也不会减少任何的dc针脚。

　　如需了解安捷伦半导体测试产品有关的更多信息，可访问网址：/see/atenews。