st推出250a功率mosfet，封装和制程同步升级，提高电机驱动能效 ;;; 全球首款采用引线带楔焊键合与表面贴装技术的功率 mosfet分立器件，1.5毫欧导通电阻配合大电流输出，瞄准55v目标应用 ;;; 意法半导体推出一款250a表面贴装的功率mosfet晶体管，新产品拥有市场上最低的导通电阻，可以把功率转换损耗降至最低，并提高系统性能。 ;;; ;;; 新产品stv250n55f3是市场上首款整合st powerso-10 封装和引线带楔焊键合技术的功率mosfet，无裸晶片封装的电阻率极低。新产品采用st的高密度stripfet iii制程，典型导通电阻仅为1.5毫欧。stripfet iii更多优点包括：开关损耗低，抗雪崩性能强。除提高散热效率外，九线源极连接配置还有助于降低电阻。在25℃时，封装的额定功率为300w。;;; 新产品的高额定电流让工程师可以设计多个并联的mosfet，达到节省电路板空间和材料成本的目的。标准驱动阈压还有助于简化驱动电路的设计。stv250n55f3适用于高达55v的电力设备。;;; 高达175℃的工作温度使stv250n55f3适用于强电流电力牵引设备，如叉车、高尔夫球用车和电动托盘装卸车以及割草机、电动轮椅和电动自行车。新产品在晶圆和成品阶段都经过100%的雪崩测试，为可靠性和抗击穿性提供了有力的保障。新产品将很快达到汽车级产品质量标准。;;; 在同一个产品系列，st还有一款型号为55v stv200n55f3的产品，该产品的额定漏极连续电流为200a，源极连线配置为4线。;;; stv250n55f3样片即刻上市销售，预计2008年第三季度开始量产。