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凌力尔特推出100V N 沟道 MOSFET 驱动器

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:271

标签:

摘要: 加利福尼亚州米尔皮塔斯(MILPITAS,CA)–2011年2月18日–凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出LTC4444/-5的H级版本,该器件是一款高速、高输入电源电压(100V)、同步MOSFET栅极驱动器,为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET而设计。该驱动器与功率MOSFET以及凌力尔特公司很多DC/DC控制器之一相结合,可构成

加利福尼亚州米尔皮塔斯(MILPITAS,CA)–2011年2月18日–凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出LTC4444/-5的H级版本,该器件是一款高速、高输入电源电压(100V)、同步MOSFET栅极驱动器,为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET而设计。该驱动器与功率MOSFET以及凌力尔特公司很多DC/DC控制器之一相结合,可构成完整的高效率同步稳压器。LTC4444H/-5在-40°C至150°C的节温范围内工作,而I级版本的工作温度范围为-40°C至125°C。

该器件集成了自适应贯通保护功能,以最大限度地缩短死区时间,同时防止高端和低端MOSFET同时导通。这些强大的驱动器在1.5Ω下拉阻抗时能提供高达1.4A以驱动高端MOSFET,在0.75Ω下拉阻抗时则能提供1.75A以驱动低端MOSFET,从而使该器件非常适用于驱动大栅极电容、大电流MOSFET。LTC4444H/-5可驱动多个并联的MOSFET,以用于较大电流的应用。当驱动1000pF负载时,高端MOSFET的快速8ns上升时间、5ns下降时间和低端MOSFET的6ns上升时间、3ns下降时间可最大限度地降低开关损耗。

LTC4444H/-5针对两个与电源无关的输入进行配置。高端输入逻辑信号的电平从内部移位至自举电源,该信号可在比地高114V时工作。LTC4444-5在4.5V至13.5V的范围内驱动高端和低端的MOSFET栅极,而LTC4444则在7.2V至13V的范围内驱动高端和低端的MOSFET栅极。

这两款器件都采用耐热增强型MSOP-8封装。千片批购价均为每片2.00美元。如需更多信息,请登录www、linear、com、cn/product/LTC4444。

照片说明:用于DC/DC转换器的高可靠性100V同步MOSFET驱动器

性能概要:LT4444H/-5

·高速/高压同步N沟道MOSFET驱动器

·100V最高电源电压

·-40°C至+150°C的工作结温范围

·在0.75Ω下拉阻抗时提供大驱动电流

·4.5V/7.2V至13.5V的栅极驱动电压

·自适应贯通保护

·驱动高端和低端MOSFET

·驱动1000pF负载时,高端栅极具8ns上升时间、5ns下降时间

·驱动1000pF负载时,低端栅极具6ns上升时间、3ns下降时间

·用于栅极驱动电压的欠压闭锁

·耐热增强型MSOP-8封装

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67