日前，德州仪器(TI) 宣布推出3 款可提高高密度隔离式电源效率与可靠性的新一代双通道输出栅极驱动器，进一步壮大其MOSFET 驱动器产品阵营。

首款120 V 启动高侧／低侧MOSFET 驱动器

UCC27210 与UCC27211 是业界首批120 V 启动高低侧双通道输出MOSFET 驱动器，可在解决驱动器输入-10 V 直流电(VDC) 抗扰度问题的同时，提供高达4 A 的输出电流。这两款驱动器提供18 纳秒(ns) 传播延迟，支持多种高频率半桥及全桥电源拓扑。上述综合特性可为具有100 V 浪涌需求的电信、服务器以及工业电源设计提高效率，增强可靠性。如欲了解样片、PSpice 瞬态模型与评估板，敬请访问：www、ti、com、cn/product/cn/ucc27210、

UCC27210 与UCC27211 的主要技术特性：

· 业界首批额定120 V 的4 A 高低侧驱动器（TTL 与伪CMOS 兼容输入版本），可驱动N 通道高低侧FET；

· 0.9 欧姆上拉及下拉电阻可最大限度降低MOSFET 转换通过米勒效应平台时的开关损耗；

· 增强的系统可靠性：输入支持-10 伏直流，无需整流二极管便可实现到栅极驱动变压器的直接接口连接。

更快速度驱动更大电流

此外，TI 还面向二次侧同步整流器MOSFET 及IGBT 电源开关推出了业界速度最快的5 A 双通道低侧驱动器。该UCC27524 提供低脉冲失真与高效性，并支持12 ns 传播延迟，6 ns 上升时间与1 ns 输出延迟匹配。该驱动器支持4.5 V 至18 V 宽泛工作电压，可高度灵活地结合两组输出驱动TI MOSFET 栅极驱动器产品系列；

· 最新UCC27xxx 驱动器是UCC28950、LM5046 以及Power Stage Designer™ 开关模式电源拓扑工具；

· 通过TI在线技术支持社区咨询问题，并帮助解决技术难题：www、deyisupport、com、

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