电源管理技术领先供应商(IR)推出IRAUDAMP1 D类音频放大器参考设计，当中的额定200V IR2011S高速栅驱动器集成电路，能针对功率级的每个声道驱动一对IRFB23N15D HEXFET MOSFET，提供放大音频脉宽调制 (PWM) 波形。IRAUDAMP1参考设计是一个完整的模拟输入 D类音频功率放大器，具有4 Ω的峰值500W + 500W立体声输出。它以一个自振式脉宽调制器为基础，有利于最大限度减少组件数目并实现耐用设计，兼具多项保护功能和内务操作电源，有助简化使用。该参考设计的主要作用，是展示IR2011S的应用方法，实施保护电路功能并设计出最完善的印板布局。IRAUDAMP1的性能特点如下：
* 在1kHz、100W、4Ω下THD+N=0.008% * 在350W、1kHz、4Ω下效率高达93%* 工作电源的电压范围十分宽广，介乎 ±25 ~ 60V 参考设计中的保护电路包括过压和过电流保护功能，兼具输出直流电压保护，能避免直流电损坏扬声器。IR中国及香港销售总监严国富表示：“我们的目标是为工程人员简化繁琐的电路设计，并提高效率。IRAUDAMP1参考设计能实现完整和耐用的解决方案，让设计员以更小电路面积发挥D类音频放大器的潜在性能。”IR2011 额定200V、低侧MOSFET驱动集成电路，是专为100W至1000W的 D类音频放大器电路而设计。它采用八引脚DIP或SO-8封装，最高额定环境温度为125(C，安全度比额定值仅为85(C的同类器件更胜一筹。