原文标题：武汉新芯陈少民：欲抓紧"一代半"时间差 实现3D NAND的弯道超车集微网消息 文/刘洋3月28日，总投资240亿美金 （约1600亿元人民币）的"光谷"存储器基地项目在武汉市东湖高新区正式启动 。这一项目是湖北省自建国以来最大的单体投资项目，更成为国家发展集成电路产业的重大战略部署。据悉，该基地2018年将实现3D NAND存储器的首次量产，2020年形成月产能30万片的生产规模，其中20万片3D NAND Flash和10万片DRAM，2030年预计达到每月产能100万片。武汉新芯商务长陈少民先生在启动仪式后接受集微网等媒体的采访，就目前武汉新芯的研发实力、市场空间和合作伙伴的选择做出详细解答。与竞争对手技术相差一代半2015年，武汉新芯与美国Spansion公司宣布合作开发与生产3D NAND闪存技术，同时签署共同开发和交叉授权协议。双方在3D NAND项目研发取得了突破性进展。据陈少民先生透露，去年5月，武汉新芯在"9层"上面取得了重大突破，读写擦都没问题。它就像模组一样，可以堆叠上去，目前我们已经加了很多层，在Channel Charge电流和可靠性上得到大幅提升。按照目前的既定目标和规划来看，2018年初武汉新芯将推出具有一定市场竞争力的存储器产品，更多细节并未被透露。目前，以三星、东芝为首的国际NAND Flash大厂已实现48层堆叠的3D NAND存储器，SK海力士、美光快速发展至36/32层。对此，陈少民先生回应称，武汉新芯与竞争对手的差距只有一代半，我们有信心在三代产品后赶上国际厂商。其实，3D NAND技术就像是在挖隧道，做的越深可靠性就越低。就好比在很小的世界里盖房子，盖的越高就越需要支撑，这个非常难做。当然我们的技术已经通过专家的认证。为何选择Spansion公司？Spansion公司于2014年被Cypress并购。陈少民先生表示，Spansion是由AMD和富士通成立的合资公司，AMD早期做存储器，自1980年开始转型做处理器。对武汉新芯而言，Spansion曾经是闪存领域非常重要的供应商，拥有一大批核心专利和闪存方面的技术人才。2014年，Spansion获得一项名为"电荷捕获（Charge Trap）"的重要专利技术。而目前拥有领先3D NAND技术的存储器企业均采用这一技术。Spansion还曾就电荷捕捉技术提告三星及苹果公司，后来与IBM公司达成交叉授权协议。武汉新芯也于2013年取得了这一技术的共同开发，交叉授权的协议，并同时拥有这一知识产权。"当然，武汉新芯还会与更多公司合作。"陈少民先生讲道，"做3D NAND需要大量的合作伙伴，包括整个产业链的配套，从控制器，SSD模组到整个打造封装测试。我们秉持着开放的态度，兼容并包，希望与合作伙伴一起把这个存储器产业打造起来。"弯道超车的绝佳时间点2006年武汉新芯成立，2008年NOR Flash实现量产。陈少民先生指出，2013年杨士宁博士带着国际团队加入武汉新芯，用国际的视野和管理方式治理公司，于2013年开展了3D NAND的项目，不仅赶上了绝佳时间点，更于2015年取得了技术突破。"无论从市场、人才、布局和管理来看，武汉新芯拥有了弯道超车的转折点，这也是存储基地项目落地的根本原因之一。"以一片12寸硅片可切割为700颗芯片来计算，2018年武汉新芯每年将生产出总量约25.2亿（700＊30万＊12）个存储器产品。"这一数值根据目前存储器市场的整体发展速度来看，将占据全球的11-13%。而2018年预计中国的NAND Flash需求量全球占比可能有40-50%，仅仅是国内自己的供应链仍是非常不足的。"陈少民讲道。一方面，中国的存储芯片产业基本空白，几乎100%依赖进口。三星、美光、东芝、海力士等企业垄断的存储器市场高达800亿美元，占据全球95%以上的市场份额。而中国每年进口的存储芯片占比55%，国内厂商却从未曾参与进来。另一方面，先进工艺的物理节点将至，2D NAND Flash无法满足主流存储器对性能、功耗和可靠性的更高要求，3D NAND为国内厂商进入主流存储器制造领域提供了更好的机会。最后，也是最重要的一点，存储器广泛应用于手机、电脑、云计算和物联网中，是一个明星产业，预计未来将以10%的复合增长率保持增长。3D NAND技术，无论对于任何厂商来说都是全新的技术。"只要你在科技领域，积极的参与，大胆的投入就会带来机会。如果没有抓住这个时间点，一切将会太迟。"陈少民表示，在全球互联网公司正将云上存储转换成闪存的趋势下，一旦我们可以在2018年顺利量产，并在2020年达到30万片的产能。三代产品内将质量赶上来，必将改变现有的全球存储器领域格局，扭转竞争态势。