（１）V(BR)CBO────e极开路，c-b结的反向击穿电压。此时流经c-b极的是ICBO。当反向电压VCB增至一定程序时，ICBO急剧增大，最后导致击穿。
　　　　（２）V(BR)CEO--b极开c-e极之间的反向击穿电压。此时流经c-e极的是ICEO。当反向电压VCE增加到ICEO开始上升时的VCE就是V(BR)CEO。应该注意，在此情况下，当集电结开始击穿时，IC增大，同时发射结分到的正向电压增大，使e区注入b区的电子增多，IE增大。IE的增大又将使IC进一步增大。所以，这里有一个培增效应，而最后使c-e极之间击穿电压V(BR)CEO要比V(BR)CBO小即V(BR)CEO>V(BR)CBO。
　　　　（３）V(BR)CER和V(BR)CES--b-e极之间接电阻（Ｒ）和短路（Ｓ）时的V(BR)CE。在b-e极之间接电阻R后，发射结被分流。当集电结反向电流ICBO流过b极时，由于分流而使流过发射结的电流减少。所以，在上面（２）中所说的倍增效应减小，为了进入击穿状态，必须加大VCE。也就是说，V(BR)CER>V(BR)CEO。电阻Ｒ愈小，它对发射结的分流作用愈大，所以进入击穿状态时，所需的VCE愈大。当R＝0并略去基区的体电阻rbb`，则发射结相当于短路。此时V(BR)CBO≈V(BR)CES。