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集成CMOS门电路的主要特性和参数 -解决方案-华强电子网

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:598

标签:

摘要: 一、典型集成CMOS门电路二、集成CMOS门电路的主要特性1. CMOS反相器的电压传输特性特性如上图所示,实际上是非常接近理想开关的特性。从图可知,它的开门电平和关门电平近似为。CMOS反相器电压传输特性的简单说明:特性曲线①段,,TN截止,TP导电,输出高电平。特性曲线②段,,TN开始导电,但很微弱,TP仍工作在可变电阻区,所以,输出高电平开始下降。特性曲线③段,,TN和TP都导,且都工作在恒

一、典型集成CMOS门电路

二、集成CMOS门电路的主要特性

1. CMOS反相器的电压传输特性

特性如上图所示,实际上是非常接近理想开关的特性。从图可知,它的开门电平和关门电平近似为

CMOS反相器电压传输特性的简单说明:

特性曲线①段,,TN截止,TP导电,输出高电平

特性曲线②段,,TN开始导电,但很微弱,TP仍工作在可变电阻区,所以,输出高电平开始下降。

特性曲线③段,,TN和TP都导,且都工作在恒流区,但只要输入稍有增加,TP导电趋向截止区,TN趋向可变电阻区,所以,输出电压快速下降为低电平。

特性曲线④段,,TN工作在可变电阻区, TP仍导电,但接近截止区,所以,输出电压降为低电平。

特性曲线⑤段,,TN工作在可变电阻区, TP完全工作在截止区,所以,输出电压稳定在低电平VOL上。

三、CMOS门电路的主要参数

以5V电源电压时,CMOS和TTL参数之比较:

四、CMOS传输门

它由NMOS 和PMOS管并联而成:

C和为互补控制端,令C和分别为VDD和0V,输入电压从0~VDD。当C=0,,TN和TP都截止,输入/输出为高阻态,输出电压为0;当时,TN导电;当时,TP导电;所以在时两管同时导电,此时两管的导电沟道电阻并联,输入/输出间表现为低阻,输入信号传递到输出。

TG门的两种应用:

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67