电子元器件原材料
采购信息平台

手机洽洽

扫一扫下载客户端
随时随地,生意尽握手中

RAM、RRAM和DRAM三者有什么区别?

来源:知乎 作者:Birkee 浏览:6019

标签:

摘要: RAM,Random-Access Memory,即随机存取存储器,其实就是内存,断电会丢失数据。主要分为SRAM(static)和DRAM(dynamic)。主要的区别在于存储单元,DRAM使用电容电荷进行存储。需要一直刷新充电。SRAM是用锁存器锁住信息,不需要刷新。但也需要充电保持。关于DRAM,其基本的存储单元如下,利用一个晶体管进行控制电容的充放电。

RAM,Random-Access Memory,即随机存取存储器,其实就是内存,断电会丢失数据。

主要分为SRAM(static)和DRAM(dynamic)。主要的区别在于存储单元,DRAM使用电容电荷进行存储。需要一直刷新充电。SRAM是用锁存器锁住信息,不需要刷新。但也需要充电保持。
关于DRAM,其基本的存储单元如下,利用一个晶体管进行控制电容的充放电。

DRAM一般的寻址模式,控制的晶体管集成在单个存储单元中。



现在的DRAM一般都是SDRAM,即Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步且能自由指定地址进行数据读写。其结构一般由许多个bank组成并利用以达到自由寻址。 





而RRAM,指的是Resistive Random Access Memory,这是最近才新研究的技术,并不成熟。利用Memositor(一种记忆电阻,其阻值会根据流过的电流而变化)作为存储单元,优点十分明显,并且和DRAM比起来在array中可以减少控制晶体管的数量,在CMOS chip上已经有所应用。
 举crossbar为例,我在一篇文章上看到的芯片


其基本的寻址模式是在crossbar外进行控制,DATA A为读取的数据而DATA B是不读取的数据。对相应的地址加以两种不同的电压完成存取。

作者:Birkee
链接:https://www、zhihu、com/question/30492703/answer/90052846
来源:知乎

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
型号/产品名 平均报价 涨跌幅
STM8S003F3P6 1.55 1.12%
74HC573D 0.64 2.86%
2N7002 3.66 400.00%
STM32F103C8T6 7.47 27.87%
1N4007 1.58 0.00%
ADM2483BRWZ 8.90 3.21%
SHT10 16.21 5.88%
STM32F103RCT6 12.56 24.44%
78L05 10.55 66.67%
LM358 118206.75 16.67%
发布求购