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THB6128驱动芯片的应用

来源:华强电子网 作者:华仔 浏览:1915

标签:

摘要: THB6128具有双全桥MOSFET驱动,低导通电阻Ron=0.55Q,最高耐压36VDC,大电流2.2A(峰值),多种细分可选(1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128),自动半流锁定功能,快衰、慢衰、混合式衰减三种衰减方式可选,内置温度保护及过流保护等功能。 THB6128的引脚功能 下表所示是THB6128的引脚功能。引脚编号引脚符号引脚说明1VREG2内部稳

THB6128具有双全桥MOSFET驱动,低导通电阻Ron=0.55Q,最高耐压36VDC,大电流2.2A(峰值),多种细分可选(1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128),自动半流锁定功能,快衰、慢衰、混合式衰减三种衰减方式可选,内置温度保护及过流保护等功能。

THB6128的引脚功能 下表所示是THB6128的引脚功能。

引脚编号引脚符号引脚说明
1VREG2内部稳压器用电容连接端
2VM电机电源连接端
3OUTIAA相OUTA输出端
4PGNDAA相功率地
5VMAA相电机电源连接端
6NFAA相电流检测电阻连接端
7OUT2AA相OUTA输出端
8NC
9OUTIBB相OUTB输出端
10NFBB相电流检测电阻连接端
11VMBB相电机电源连接端
12PGNDBB相功率地
13OUT2BB相OUTB输出端
14,23SGND信号地
15VREF电流设定端
16MO位置检出Monitor端
17DOWN通电锁定时输出端
18FDT衰减模式选择电压输入端
19OSC2通电锁定检出时间设定电容连接端
20OSC1斩波频率设定电容连接端
21CLK脉冲信号输入端
22cw/CCw正/反转信号输入端
24RESET复位信号输入端
25ENABLE脱机信号控制端
26M3细分设置端
27M2细分设置端
28M1细分设置端
29STNCC待机控制端
30VREG1内部稳压器用电容连接端

设计简要说明 下图所示是THB6128的参考设计原理图。

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M1、M2、M3是细分数选择端,细分数是用拨盘开关设定的,使用时根据我们的需要按表3拨盘即可。

PDT为衰减方式控制端,调节此端电压可以选择不同的衰减方式,从而获得更好的驱动效果。当3.5

VREF为电流设定端,调整此端电压即可设定驱动电流值,驱动器额定工作最大电流为2Aolo(100%)=VREF*(1/5)*(1/Rs),Rs为NFA(B)外接检测电阻,假设VREF=1.5V、Rs电阻为0.3Q时,则设定电流为:lout=(1.5V/5)/0.3Ω=1.0A。

斩波频率由OSC1端子-GND间连接的电容,依据下面的公式设定:Fcp=1/(Coscl/10×10-6)(Hz)。假设Cosc1=100pF时,则斩波频率如下:Fcp=1/(100×10-12/10×10-6)=100(kHz)。

输入信号共有三路,它们是:①步进脉冲信号CP+,CP-;②方向电平信号U/D+,U/D-③脱机信号FREE+,FREE-。它们在驱动器内部的接口电路相同,相互独立。分别将CP+,U/D+,FREE+连接到控制系统的电源上,如果此电源是+5V则可直接接入,如果此电源大于+5V,则须外部另加限流电阻,保证给驱动器内部光藕提供8~15mA的驱动电流。输入信号通过CP-、U/D-、FREE-加入。

STNCC为待机功能(Standby)端,当其电平为Low时,THB6128进入待机模式,所有的逻辑被重置,输出为OFF。STNCC端子为High时解除待机模式。

THB6128为防止对电源或对地短路导致IC损坏的情况,内置了短路保护电路,使输出置于待机模式。检测出输出短路状态时,短路检出电路动作,一度输出OFF。此后,TimerLatch时间(typ:256μS)之后再度输出ON,如果输出仍然短路的话,将输出固定于待机模式。由输出短路保护电路动作而使输出固定于待机模式的场合,通过使ST="H"可以解除锁定。

RESET为上电复位端,RESET端子为Low时,输出为初始模式。励磁位置不再与CLK、cw/ccw端子关联,而被固定在初始位置。初识位置时,MO端子输出L(OpenDrain开漏连接)。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67