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等离子体所在基于氮掺杂二氧化钛电池暗电流抑制研究取得较大进展

来源:<a href='http://bbs.hqew.com/viewthread.php?tid=399344' target='_blank'>lidongsheng</a> 作者:华仔 浏览:2254

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摘要: 等离子体所在基于氮掺杂二氧化钛电池暗电流抑制研究取得较大进展近来,中科院等离子体研究所太阳能材料与工程研究室研究生田华军在基于氮掺杂二氧化钛电池暗电流抑制研究方面取得较大进展。该研究成果能提高电池的稳定性,并在一定程度提高电池的光电转换效率。相关研究论文在美国化学会《物理化学杂志C》发表。研究人员通过实验发现了氮掺杂后能代替二氧化钛晶格中的氧缺陷,增加了在400纳米到500纳米之间的光吸收,使得纳晶半导

等离子体所在基于氮掺杂二氧化钛电池暗电流抑制研究取得较大进展

近来,中科院等离子体研究所太阳能材料与工程研究室研究生田华军在基于氮掺杂二氧化钛电池暗电流抑制研究方面取得较大进展。该研究成果能提高电池的稳定性,并在一定程度提高电池的光电转换效率。相关研究论文在美国化学会《物理化学杂志C》发表。



    研究人员通过实验发现了氮掺杂后能代替二氧化钛晶格中的氧缺陷,增加了在400纳米到500纳米之间的光吸收,使得纳晶半导体薄膜的平带电势负移,提高了电池的开路电压。氮掺杂抑制了二氧化钛和电解质界面的电子复合反应,增加了二氧化钛电极中的电子寿命,提高电池的稳定性,并能一定程度提高电池的光电转换效率。

    此前,相应的研究成果由等离子体所戴松元研究员在美国波士顿2009年材料研究学会秋季会议(2009 MRS fall meeting)以特邀报告的方式予以介绍,获得了广泛关注。

型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67