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摘要: LTC4362描述LTC®4362单片式过压/过流保护控制器可保护2.5V至5.5V系统免遭输入电源过压的损坏。它专为具有多种电源选项(包括墙上适配器、汽车电池适配器和USB端口)的便携式设备而设计。LTC4362用于控制一个与输入电源串联的内部40mΩN沟道MOSFET。在过压瞬变期间,LTC4362能在1μs的时间之内关断MOSFET,从而将下游的组件与输入电源隔离开来。在大多数应用中,LTC4362可安全地经受电感性电缆瞬变,而无需使用瞬态电压抑制器或其
LTC4362描述
LTC®4362单片式过压/过流保护控制器可保护2.5V至5.5V系统免遭输入电源过压的损坏。它专为具有多种电源选项(包括墙上适配器、汽车电池适配器和USB端口)的便携式设备而设计。
LTC4362用于控制一个与输入电源串联的内部40mΩN沟道MOSFET。在过压瞬变期间,LTC4362能在1μs的时间之内关断MOSFET,从而将下游的组件与输入电源隔离开来。在大多数应用中,LTC4362可安全地经受电感性电缆瞬变,而无需使用瞬态电压抑制器或其他外部组件。一个内部电流检测电阻器用于实现过流保护功能。
LTC4362具有一种用于限制浪涌电流的延迟启动(在插电时)和受控型dV/dt斜坡上升功能。一个PWRGD引脚提供了针对VIN的电源良好监视功能。LTC4362具有一种受控于ON引脚的软停机功能,并驱动一个任选的外部P沟道MOSFET以提供负电压保护。在一个过压情况之后,LTC4362将在一个130ms的延迟之后自动重新起动。在一个过流情况之后,LTC4362-1保持关断状态,而LTC4362-2将在一个130ms的延迟之后自动重新起动。
LTC4362特点
2.5V至5.5V工作电压
过压保护高达28V
内部40mΩN沟道MOSFET和31mΩRSENSE
对于大多数应用,雪崩额定MOSFET无需使用输入电容器或TVS(瞬态电压抑制器)
<1μs的过压关断时间,渐渐逐步地停机
准确度为2%的5.8V过压门限
准确度为20%的1.5A过流门限
采用1μFCOUT时,输入可承受高达±25kVHBMESD
受控的上电dV/dt限制浪涌电流
反向电压保护驱动器
低电流停机模式
在过流之后锁断(LTC4362-1)或自动重试(LTC4362-2)
采用8引脚2mmx3mmDFN封装
Typical Application
LTC4362封装
LTC4362应用
USB保护
手持式计算机
蜂窝电话/智能手机
MP3/MP4播放器
数码相机
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型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |