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摘要: LTC4358描述LTC®4358是一款5A理想二极管,当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时,该器件采用一个内部20mΩN沟道MOSFET来替代一个肖特基二极管。LTC4358降低了功耗、减少了热耗散,并压缩了PC板面积。LTC4358可以很容易地把电源“或”连接在一起,以提高整体系统可靠性。在二极管“或”应用中,LTC4358负责调节内部MOSFET两端的正向电压降,以确保从一条通路至另一条通路的无振荡平滑电流转换。如果电源发生故障或短路,
LTC4358描述
LTC®4358是一款5A理想二极管,当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时,该器件采用一个内部20mΩN沟道MOSFET来替代一个肖特基二极管。LTC4358降低了功耗、减少了热耗散,并压缩了PC板面积。
LTC4358可以很容易地把电源“或”连接在一起,以提高整体系统可靠性。在二极管“或”应用中,LTC4358负责调节内部MOSFET两端的正向电压降,以确保从一条通路至另一条通路的无振荡平滑电流转换。如果电源发生故障或短路,则快速关断操作将能够最大限度地减小反向电流瞬变。
LTC4358特点
可替代一个功率肖特基二极管
内部20mΩN沟道MOSFET
0.5μs的关断时间以限制峰值故障电流
工作电压范围:9V至26.5V
实现了无振荡的平滑切换
无反向DC电流
采用14引脚(4mmx3mm)DFN和16引脚TSSOP封装
TypicalApplication
LTC4358封装
DFN-14,TSSOP-14
LTC4358应用
N+1冗余电源
高可用性系统
电信基础设施
汽车系统
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型号 | 厂商 | 价格 |
---|---|---|
EPCOS | 爱普科斯 | / |
STM32F103RCT6 | ST | ¥461.23 |
STM32F103C8T6 | ST | ¥84 |
STM32F103VET6 | ST | ¥426.57 |
STM32F103RET6 | ST | ¥780.82 |
STM8S003F3P6 | ST | ¥10.62 |
STM32F103VCT6 | ST | ¥275.84 |
STM32F103CBT6 | ST | ¥130.66 |
STM32F030C8T6 | ST | ¥18.11 |
N76E003AT20 | NUVOTON | ¥9.67 |