Vishay Siliconix 推出业界首款带有同体封装的 190V 功率二极管的 190V N 通道功率 MOSFET
2009年01月08日 02:24　来源: 大比特资讯　作者： ======

    SiA850DJ 是在 1.8V VGS 时具有面向高压应用的导通电阻额定值的业界首款器件，其封装厚度仅为 0.75mm，占位面积为2mm×2mm

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界首款带有同体封装的 190V 功率二极管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，该器件具有 2mm×2mm 的较小占位面积以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-70 封装的 SiA850DJ 还是在 1.8V VGS 时具有导通电阻额定值的业界首款此类器件。

    SiA850DJ 的典型应用将包括面向高压压电电动机的升压直流到直流转化器以及手机、PDA、MP3 播放器及智能电话等便携式设备中的有机 LED（OLED）背光。

    将 MOSFET 及功率二极管整合到同一封装可帮助设计人员节约至少三分之一的 PCB 面积，同时由于无需使用外部二极管，因此可降低解决方案成本。较大器件在 2.5V 时达到导通电阻额定值，而 SiA850DJ 在 1.8V 时便可达到导通电阻额定值，由于无需使用电平位移电路，这进一步节约了板面空间。该器件的导通电阻值范围介于 1.8V VGS 时 17Ω～4.5V VGS时 3.8Ω，0.5A 时二极管正向电压为 1.2 V。

    SiA850DJ 100% 无铅（Pb），无卤素，并且符合 RoHS规范，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。

    目前，新型 SiA850DJ 的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 10～12 周。