采用2×3mm DFN-8 封装，在 -40℃至 125℃的工作结温范围内工作。

        特点：       

　　  同步N沟道MOSFET驱动器

        4V至6.5V栅极驱动VCC电压

        38V最高电源电压

        自适应贯通保护

       3态PWM输入用于电源级控制

      大驱动电流：提供3.2A，吸收4.5A

      高端栅极：当驱动3,000pF负载时，8ns上升时间，7ns下降时间

       低端栅极：当驱动 3,000pF 负载时，7ns 上升时间，4ns 下降时间

      引脚排列图：