采用8引脚、2mmx3mmDFN封装。运用准确度为2% 的5.8V 过压门限检测过压事件，并在1us (最大值) 时间内快速响应，以隔离下游组件和输入。高达28V 的过压保护由一个内部雪崩额定的低RDS(ON) MOSFET 实现，而且在大多数应用中无需瞬态电压抑制器(TVS) 或其它外部组件，就可承受电感电缆瞬态。此外，LTC4362 监视一个内部电流检测电阻器两端的压降，以提供准确度为 20% 的1.5A 过流门限。

      特点：   

　 在2.5V至5.5V工作，1.2A

    过压保护高达28V

    内部40mΩN沟道MOSFET和31mΩRSENSE

    就大多数应用而言雪崩额定的MOSFET无需输入电容器或TVS

    <1us的过压断开时间，缓慢停机

    准确度为2%的5.8V过压门限

    准确度为20%的1.5A过流门限

    采用1uFCOUT，输入可承受高达±25kV的HBMESD

    受控制的加电dV/dt限制浪涌电流

    电压反向保护

    电源良好输出

    低电流停机(1.5uA)

    过流后锁断

    引脚排列图：