【用 途】 BiCMOS 电压模式PWM 控制器
【性能 参数】
双列直插或贴片14脚和20脚塑料和陶瓷封装。电源电压( IDD ≤10mA)15V，电源电流30mA，输出电流±1A。它含有振荡器、.占空比锁存器、PWM 锁存.器、过流比较器、PWM 比.较器、最小占空比比较器、软起动电路、基准.电压源、7. 5V 线性预稳压器和4. 0V 逻辑电.源等部分。线性预稳压器和外接的耗尽型N2。MOSFET 组成起动控制电源, 它把VDD 脚的.15V 电压稳定在7. 5V , 一旦自举电源开始.工作,该预稳压器立即关断,这样可减小芯片.的功耗,提高变换效率。
【互换 兼容】
CT : 外接振荡器定时电容器, 该电容的最小值为100p F 。
DCMIN :脉冲开始跳变的可调最小占空比输入端。如果不需要脉冲跳变和最小占空比,该脚应接地。
EN : 使能输入端, 该脚有10μA 内部拉电流, 该脚为逻辑低电平时, 封锁PWM 输出,并使软起动电容放电。
GND :接地端
GT :外接耗尽型N2MOSFET 栅极的控制端。通过外接MOSFET 可将电源电压VDD 调整到7.5V 。当自举电源开始工作后,该脚电压下降。
ISEN : 过流比较器输入端, 用来完成逐脉冲限流功能, 该输入端的门限值通常为0.5V 。
OU T : 栅极驱动输出端, 用于驱动外接的N2MOSFET 。
REF :4.0V 基准电压输出。为了提高基准电压的稳定性,该脚应外接旁路电容,该电容的容量最小应为1μF 。
RT1 : 外接调整振荡器电容充电电流的电阻。振荡器的充电电流为912 ×210V /RR T 1 , RR T 1的阻值应在220kΩ～1MΩ 之间。
RT2 : 外接调整振荡器电容放电电流的电阻RRT 2 。该电阻的最小阻值为10kΩ。SS :外接软起动电容。
SS : 脚输出的充电电流为流过RRT 1中电流的3.75 倍。
SYNC :振荡器同步控制端。同步脉冲上升沿触发, CMOS/ T TL 兼容输入, 同步脉冲的幅值为211V , 最小脉冲宽度为100ns ,若不需要同步,该脚应接地。
VC : PWM 比较器控制电压。通常,该控制电压的范围为1.0～2.5V 。
VDD : 具有内部箝位的15V 输入电源电压, 在自举电源建立以前, 驱动外接MOS2FET ,将VDD 调整到7.5V ,VDD 脚应外接容量在110μF 以上的电容器。
| 下载软件名称 |
用UCC3581 从电话线上获得稳定电压 |
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| 简介 |
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| 文件格式 |
rar |
| 应用平台 |
Win9x,WinNT,WinME,Win2000,WinXP |
| 下载说明 |
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