IR公司节能产品部副总裁谭仲能先生指出：“通过采用业界领先 的功率MOSFETS对我们的D类音频高压集成电路进行优化，IRAUDAMP3能 够为我们的客户提供显著的性能和尺寸方面的优势。”

　　集成了IRS20124S高压集成电路的参考设计具有内部可选死区时间 发生电路，可以防止噪声和电源电压波动，有助于在60W、4Ω的情况 下实现0.01%的总谐波失真（THD），而在120W、4Ω单通道可实现94% 的效率。此外，该集成电路还内置了双电流感测和集成的关断功能， 在出现扬声器引线短路等过流状况时保护输出MOSFET。

　　IRAUDAMP3的占板面积为4.5平方英寸，也采用了IRF6645 DirectFET 功率MOSFET。创新的DirectFET封装技术通过降低引线电感 提高了开关性能，并降低了EMI噪声，从而提高了D类音频放大器电路 的性能。其较高的热性能有助于实现4Ω阻抗下的120W运行，而无需使 用散热器，这样不仅缩小了电路尺寸，还为设计师作电路布局提供了 更大的灵活性，降低了放大器系统的总体成本。

　　有关的资料数据可查询IR网站：http://www、irf、com、

　　获得专利的DirectFET封装技术

　　IR获得专利的DirectFET MOSFET封装体现了以往的标准塑料分立 封装所不具备的一系列设计优点。金属罐构造可以实现双面冷却，使 为先进微处理器供电的高频DC-DC降压式转换器的电流处理能力增加一 倍。此外，DirectFET封装的器件均符合RoHS有害物质管理规定。

　　IRAUDAMP3参考设计现已供货，每套995美元，价格会有所变动。