2N7002是一款采用高单元密度和DMOS技术生产的N沟道增强型场效应晶体管。它将导通电阻降至最低，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。它可用于要求高达400毫安DC的大多数应用，并可将脉冲电流输送至2A。适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制和功率MOSFET栅极驱动器。

    用于极低RDS(开)高饱和电流能力的高密度电池设计压控小信号开关坚固可靠

晶体管极性:N沟道

漏极电流, Id 最大值:280mA

电压, Vds 最大:60V

开态电阻, Rds(on):5ohm

电压 @ Rds测量:10V

电压, Vgs 最高:2.1V

功耗:0.2W

工作温度范围:-55to 150

封装类型:SOT-23

针脚数:3

SVHC(温度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)

SMD标号:702 / 7002 /K72 /S72 /3PG(2N7002G) /3PL(2N7002L) /72wll [1] 

功率, Pd:0.2W

外宽:3.05mm

外部深度:2.5mm

外部长度/高度:1.12mm

封装类型:SOT-23

带子宽度:8mm

晶体管数:1

晶体管类型:MOSFET

温度 @ 电流测量:25°C

满功率温度:25°C

电压 Vgs @ Rds on 测量:10V

电压, Vds 典型值:60V

电流, Id 连续:0.115A

电流, Idm 脉冲:0.8A

表面安装器件:表面安装

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:5ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:5.3ohm

阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V

阈值电压, Vgs th 最高:2.5V

SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)

英文描述：200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET　封装：SOT-23, 3 PIN

• 适用于逻辑电平栅极驱动

• 表面贴装封装源极强化MOSFET技术

• 非常快速的开关

• 坚固可靠

1. source：漏极源极

2. gate：栅极

3. drain：漏极