2N7002-7-F是一款60V N沟道增强型场效应晶体管，带镀雾锡端子。 该端子符合MIL-STD-202，method 208焊接标准。 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS (on))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效率电源管理应用的理想选择。 外壳由模制塑料"绿色"模塑料 (UL94V-0)制成。

• 额定电压(DC)：60.0 V

• 额定电流：115 mA

• 额定功率：0.3 W

• 针脚数：3

• 漏源极电阻：13.5 Ω

• 极性：N-Channel

• 耗散功率：300 mW

• 阈值电压：2.5 V

• 漏源极电压(Vds)：60 V

• 漏源击穿电压：70.0 V

• 栅源击穿电压：±20.0 V

• 连续漏极电流(Ids)：115 mA

• 上升时间：3 ns

• 输入电容(Ciss)：50pF @25V(Vds)

• 额定功率(Max)：300 mW

• 下降时间：5.6 ns

• 工作温度(Max)：150 ℃

• 工作温度(Min)：-55 ℃

• 耗散功率(Max)：370mW (Ta)

• 安装方式：Surface Mount

• 引脚数：3

• 长度：2.9 mm

• 宽度：1.3 mm

• 高度：1 mm

• 封装：SOT-23-3

• 低导通电阻

• 低栅极阈值电压

• 低输入电容

• 快速开关速度

• 低输入/输出泄漏

• 无卤素, 无锑

• 绿色设备

• 符合AEC-Q101标准, 高可靠性