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2N7002-7-F

浏览次数:1529次 更新时间:2021-09-26 17:17

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概述

2N7002-7-F是一款60V N沟道增强型场效应晶体管,带镀雾锡端子。 该端子符合MIL-STD-202,method 208焊接标准。 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS (on)),同时保持卓越的开关性能,使其成为高效率电源管理应用的理想选择。 外壳由模制塑料"绿色"模塑料 (UL94V-0)制成。

特性

  • 低导通电阻

  • 低栅极阈值电压

  • 低输入电容

  • 快速开关速度

  • 低输入/输出泄漏

  • 无卤素, 无锑

  • 绿色设备

  • 符合AEC-Q101标准, 高可靠性

参数

  • 额定电压(DC):60.0 V

  • 额定电流:115 mA

  • 额定功率:0.3 W

  • 针脚数:3

  • 漏源极电阻:13.5 Ω

  • 极性:N-Channel

  • 耗散功率:300 mW

  • 阈值电压:2.5 V

  • 漏源极电压(Vds):60 V

  • 漏源击穿电压:70.0 V

  • 栅源击穿电压:±20.0 V

  • 连续漏极电流(Ids):115 mA

  • 上升时间:3 ns

  • 输入电容(Ciss):50pF @25V(Vds)

  • 额定功率(Max):300 mW

  • 下降时间:5.6 ns

  • 工作温度(Max):150 ℃

  • 工作温度(Min):-55 ℃

  • 耗散功率(Max):370mW (Ta)

  • 安装方式:Surface Mount

  • 引脚数:3

  • 长度:2.9 mm

  • 宽度:1.3 mm

  • 高度:1 mm

  • 封装:SOT-23-3

引脚图与功能

2N7002-7-F引脚图

工作原理

暂无2N7002-7-F的工作原理信息

替代产品

暂无2N7002-7-F的替代产品信息

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