类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3 欧姆 @ 250mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：240mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：0.6nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：21pF @ 5V
功率 - 最大：350mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*