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2N7002LT1G

浏览次数:3078次 更新时间:2021-11-08 15:24

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概述

2N7002LT1G是一款N通道功率MOSFET。

特性

2N7002LT1G适用于要求独特现场和控制变更要求的汽车和其他应用;AEC-Q101合格且支持PPAP(2v 7002 l)这些器件无铅、无卤素/无BFR,符合RoHS标准。

参数

  • 额定电压(DC):60.0 V

  • 额定电流:115 mA

  • 额定功率:0.225 W

  • 无卤素状态:Halogen Free

  • 通道数:1

  • 针脚数:3

  • 漏源极电阻:7.5 Ω

  • 极性:N-Channel

  • 耗散功率:200 mW

  • 阈值电压:2.5 V

  • 漏源极电压(Vds):60 V

  • 漏源击穿电压:60 V

  • 栅源击穿电压:±20.0 V

  • 连续漏极电流(Ids):115 mA

  • 正向电压(Max):1.5 V

  • 输入电容(Ciss):50pF @25V(Vds)

  • 额定功率(Max):225 mW

  • 工作温度(Max):150 ℃

  • 工作温度(Min):-55 ℃

  • 耗散功率(Max):225mW (Ta)

  • 安装方式:Surface Mount

  • 引脚数:3

  • 封装:SOT-23-3

  • 长度:2.9 mm

  • 宽度:1.3 mm

  • 高度:0.94 mm

引脚图与功能

2N7002LT1G引脚图

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