2N7002LT1G是一款N通道功率MOSFET。

• 额定电压(DC)：60.0 V

• 额定电流：115 mA

• 额定功率：0.225 W

• 无卤素状态：Halogen Free

• 通道数：1

• 针脚数：3

• 漏源极电阻：7.5 Ω

• 极性：N-Channel

• 耗散功率：200 mW

• 阈值电压：2.5 V

• 漏源极电压(Vds)：60 V

• 漏源击穿电压：60 V

• 栅源击穿电压：±20.0 V

• 连续漏极电流(Ids)：115 mA

• 正向电压(Max)：1.5 V

• 输入电容(Ciss)：50pF @25V(Vds)

• 额定功率(Max)：225 mW

• 工作温度(Max)：150 ℃

• 工作温度(Min)：-55 ℃

• 耗散功率(Max)：225mW (Ta)

• 安装方式：Surface Mount

• 引脚数：3

• 封装：SOT-23-3

• 长度：2.9 mm

• 宽度：1.3 mm

• 高度：0.94 mm

2N7002LT1G适用于要求独特现场和控制变更要求的汽车和其他应用；AEC-Q101合格且支持PPAP(2v 7002 l)这些器件无铅、无卤素/无BFR，符合RoHS标准。