类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
系列：-
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7.5 欧姆 @ 50mA, 5V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：280mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：-
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：50pF @ 25V
功率 - 最大：150mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：*