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类别:NPN-硅通用晶体管
最大额定参数:
集电极-发射极电压VCEO:12V
集电极-基极电压VCBO:20V
发射极-基极电压VEBO:3.0V
集电极直流电流IC:100mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:225mW
工作结温Tj:150℃
贮存温度Tstg:-65~150℃
电性能参数(TA=25℃):
击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20,V(BR)EBO=3.0
直流放大系数hFE:50~300
集电极-基极截止电流ICBO:100nA(最大值)
发射极-基极截止电流IEBO:100nA(最大值)
特征频率fT:7.0GHz
封装:SOT-23
封装:SOT-23
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO):20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO):12V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC):100mA/0.1A
截止频率fTTranstion Frequency(fT):7GHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE):80~160
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage:10V
耗散功率PcPower Dissipation:200mW/0.2W