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2SC3356

浏览次数:4117次 更新时间:2021-10-09 10:41

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概述

类别:NPN-硅通用晶体管
最大额定参数:
集电极-发射极电压VCEO:12V
集电极-基极电压VCBO:20V
发射极-基极电压VEBO:3.0V
集电极直流电流IC:100mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:225mW
工作结温Tj:150℃
贮存温度Tstg:-65~150℃
电性能参数(TA=25℃):
击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20,V(BR)EBO=3.0
直流放大系数hFE:50~300
集电极-基极截止电流ICBO:100nA(最大值)
发射极-基极截止电流IEBO:100nA(最大值)
特征频率fT:7.0GHz
封装:SOT-23

特性

暂无2SC3356的特性信息

参数

  • 封装:SOT-23

  • 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO):20V

  • 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO):12V

  • 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC):100mA/0.1A

  • 截止频率fTTranstion Frequency(fT):7GHz

  • 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE):80~160

  • 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage:10V

  • 耗散功率PcPower Dissipation:200mW/0.2W

引脚图与功能

暂无2SC3356的引脚图与功能信息

工作原理

暂无2SC3356的工作原理信息

替代产品

PDF资料

暂无2SC3356的PDF资料信息

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