让找料更便捷
电子元器件
采购信息平台
生意随身带
随时随地找货
一站式电子元器件
采购平台
半导体行业观察第一站
本词条由华强电子网用户提供,如果涉嫌侵权,请与我们客服联系,我们核实后将及时处理。
AO3409采用先进的沟槽技术,提供出色的Rosio和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或脉宽调制应用。
额定功率:1 W
极性:P-CH
耗散功率:1.4 W
漏源极电压(Vds):30 V
连续漏极电流(Ids):2.6A
输入电容(Ciss):370pF @15V(Vds)
额定功率(Max):1.4 W
耗散功率(Max):1.4W (Ta)
安装方式:Surface Mount
引脚数:3
封装:SOT-23-3
工作温度:-55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期:Active
厂商 | PDF简要描述 | 下载 |
---|---|---|
P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorP沟道增强型场效应晶体管 |
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 交易说明 |
---|